Ток - неосновной носитель
Cтраница 1
Ток неосновных носителей, который в этом случае называют обратным ( / обр), почти не изм: нит своего значения, так как концентрация их в пол проводниках незначительна. [1]
Ток неосновных носителей через переход остается практически неизменным, в то время как с понижением потенциального барьера большее число электронов может перейти в р-область и большее число дырок - в п-область. [2]
Ток неосновных носителей называют током насыщения. [3]
Ток неосновных носителей, вызванный освещением, не зависит от напряжения, приложенного к р - n - переходу, он пропорционален световому потоку и называется световым током или фототоком. При этом следует отметить, что одновременно с процессом генерации пар носителей заряда происходит и их рекомбинация. Кроме того, интенсивность света уменьшается по глубине облучаемого тела, поэтому генерация пар носителей происходит в основном на внешней облучаемой поверхности. [4]
Однако ток неосновных носителей, или обратный ток, значительно меньше прямого тока через р-п переход в случае 2, так как число неосновных носителей в полупроводнике мало. [5]
Это уменьшает ток неравновесных неосновных носителей Jj, что в свою очередь приводит к тому, что нарушается равновесие межлу потоками дырок через п - / - переход. [6]
Таким образом, ток неосновных носителей является диффузионным. Дрейфовая составляющая, как показывает теория, становится заметной только при больших полях. [7]
При нормальной температуре ток неосновных носителей / к составляет единицы или десятки микроампер, небыстро возрастает с повышением температуры. [8]
 |
Схема областей v полупроводника, для которого проводится расчет ]. [9] |
Дцесъ / - ток неравновесных неосновных носителей; ц и D соответственно их подвижность и коэффициент диффузии; Q - плотность потока фотонов, К - коэффициент поглощения. [10]
 |
Распределение концентрации подвижных носителей заряда в активных областях биполярного транзистора. [11] |
Коэффициент переноса р определяется как отношение тока неосновных носителей заряда, достигающих коллекторного перехода, к току неосновных носителей заряда, инжектируемых в базу эмиттером. [12]
В тех случаях, когда большая часть тока неосновных носителей также должна проходить через этот контакт, нельзя допускать и образования антизапорного слоя с большой высотой барьера. Контакты, удовлетворяющие этим требованиям, называют идеальными или омическими. Для создания таких контактов подбирают металл с работой выхода, близкой к работе выхода полупроводника. [13]
При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется ток неосновных носителей / j bo / ( CD) пропорционально изменяется / к. [14]
При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется ток неосновных носителей / кво / ( Ф) пропорционально изменяется / к. [15]
Страницы: 1 2 3 4