Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Железный закон распределения: Блаженны имущие, ибо им достанется. Законы Мерфи (еще...)

Ток - неосновной носитель

Cтраница 2

Схема фотоэлементов с р-п-переходом.| Положение квазиуровней Ферми в разомкнутом ( а и короткозамкнутом ( б фотоэлементе с р - - переходом.  [16]

И здесь, как и в выпрямителях, омический ток неосновных носителей значительно меньше, чем диффузионный, и его можно не учитывать.  [17]

Таким образом, температура может в широких пределах менять ток неосновных носителей и практически не влияет на ток основных носителей через переход.  [18]

Таким образом, удельное сопротивление исходного полупроводника влияет на ток неосновных носителей через переход и практически не влияет на ток основных носителей.  [19]

При х0 и xti определяются плотности эмиттерного и коллекторного токов неосновных носителей.  [20]

Выражения (1.7) и (1.8) характеризуют распределения концентрации и плотности тока неосновных носителей в полупроводниковом диоде. Чтобы рассчитать полный ток, необходимо сложить для какой-то одной координаты его электронную и дырочную составляющие.  [21]

Уравнения (8.26) и (8.27) дают полные выражения для плотности тока неосновных носителей. Они будут правильны при любом смещении на транзисторе.  [22]

Распределение примеси в п-р - п транзисторе ИС с эпитаксиальным слоем. а. п - концентрация акцепторной примеси в подложке. Мд к - концентрация донорной примеси в коллекторной области. Na g - концентрация акцепторной примеси в базовой области. э - концентрация донорной примеси в эмиттерной области. W - ширина области базы. / - переход эмиттер-база. 2 - переход база-коллектор. 3 - переход коллектор-подложка. 4 - эпитаксиальный слой. 5 - подложка.| Конструкция п-р - п транзистора ИС.  [23]

Ток утечки изолирующего р-п перехода коллектор - подложка определяется током неосновных носителей подложки, поскольку эта область обладает существенно меньшей проводимостью. Обычно ток утечки отдельного элемента ИС не превышает единиц наноампер.  [24]

Зачем на коллектор подается смещающее напряжение, почему в эксперименте измеряется ток неосновных носителей тока.  [25]

Это вызвано тем, что в любой из баз прибора часть тока неосновных носителей, не достигающая коллектора, меньше, чем приходящий в базы ток основных носителей от противоположных эмиттеров. Более просто можно объяснить работу четырехслойной структуры так. Инжектированные одним из эмиттеров носители пересекают область, где они являются неосновными, частично рекомби-нируя в ней.  [26]

Однако основное предположение, сделанное во всей этой главе, заключается в том, что токи неосновных носителей в области базы хорошо совпадают по величине с общими токами эмиттерного перехода.  [27]

Схемы с транзистором. а - общий эмиттер. б - общая база.| Параметры переключения транзистора.| Характеристики транзистора. а - общий эмиттер. б - общая база.  [28]

Эта задержка вызывается наличием емкости перехода эмиттер - база и временем, необходимым для установления тока неосновных носителей в базе. В схеме с общим эмиттером время задержки можно уменьшить, увеличив входной ток базы.  [29]

Ток в полупроводниках с электронной ( а и дырочной ( б электропроводностью.  [30]

Страницы:      1    2    3    4