Ток - неосновной носитель
Cтраница 4
Если взять два перехода, один из которых будет изготовлен из более низкоомного исходного полупроводника, сильно легированного примесями, а другой из более высокоомного, слабо легированного, то ток неосновных носителей через переход в первом случае будет меньше, чем во втором, так как количество их в низкоомном полупроводнике будет меньше, чем в вы-сокоомном. Число основных носителей в низкоомном полупроводнике будет больше, но поток их через переход из-за причин, изложенных выше, практически не увеличится. [46]
Если p - n - переход подсоединить к внешнему источнику напряжения, как показано на рис. 5.12 0, ( направление ЭДС совпадает с направлением потенциального барьера), значение тока неосновных носителей при этом не изменится, поскольку оно уже равно значению тока насыщения, так как все возникающие носители переходят через барьер. [48]
Следует иметь в виду, что величины В и б являются функциями как времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводнике, так и геометрии прибора, так как обе эти величины зависят от плотности тока неосновных носителей заряда, если эта плотность сравнима с плотностью тока основных носителей. [49]
 |
График концентрации неосновных носителей в области базы транзистора при нормальных смещениях ( Ц, - const. [50] |
Плотность тока в любом сечении, перпендикулярном оси х, однозначно связана с градиентом-концентрации неосновных носителей соотношением ( 9 - 12), так что после определения функции п ( х, t) без труда вычисляется плотность тока неосновных носителей в любом сечении базовой области. При х0 - и xw определяются плотности эмиттерного и коллекторного токов неосновных носителей. [51]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [52] |
Если к нагретому р-п переходу подвести напряжение внешнего источника в непропускном направлении, то из-за увеличения высоты потенциального барьера поток основных носителей уже при весьма малых значениях внешнего напряжения практически прекратится; динамическое равновесие будет нарушено и в цепи останется ток неосновных носителей, почти не зависящий от приложенного напряжения, но во много раз увеличившийся по сравнению с током проводимости ненагретого р-п перехода. [53]
Диффузия носителей через переход становится практически невозможной, поэтому ток / а / диф - / др - др - В этом случае поле р-п перехода втягивает все подошедшие к нему неосновные носители независимо от потенциального барьера и через переход протекает только ток неосновных носителей: ток дырок из n - области в р-слой и электронов из р-в я-слой. Однако ток неосновных носителей, или обратный ток, значительно меньше прямого тока через р-п переход в случае 2, так как число неосновных носителей в полупроводнике мало. [54]
 |
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. [55] |
Если к p - n - структуре приложить внешнее напряжение плюсом на - область и минусом на р-область, то высота потенциального барьера увеличится ( рис. 10.6, д) и ток через p - n - переход, если не учитывать генерацию свободных носителей заряда в нем, будет определяться током неосновных носителей, величина которого не зависит от высоты потенциального барьера. [56]
Ток неосновных носителей, который в этом случае называют обратным / обр, почти не изменит своей величины, так как концентрация их в полупроводниках незначительна. [57]
Диффузия носителей через переход становится практически невозможной, поэтому ток / а / диф - / др - др - В этом случае поле р-п перехода втягивает все подошедшие к нему неосновные носители независимо от потенциального барьера и через переход протекает только ток неосновных носителей: ток дырок из n - области в р-слой и электронов из р-в я-слой. Однако ток неосновных носителей, или обратный ток, значительно меньше прямого тока через р-п переход в случае 2, так как число неосновных носителей в полупроводнике мало. [58]
Рассмотрена нелинейная модель, описывающая физические процессы, происходящие в идеальном трехпереходном транзисторе, изготовленном по методу эпитаксиально-планарной технологии. Учтены электрические поля и токи неосновных носителей в областях эмиттера, базы и двухслойной структуры коллектора. [59]
Ветвь Ids отражает статическую вольт-амперную характеристику эмиттер-ного перехода в виде зависимости части тока, ответвляющейся в базу, от напряжения на переходе. Иточник / г представляет ток неосновных носителей, инжектируемых в базу, а источник / г - ток неосновных носителей, инжектируемых в коллектор коллекторным переходом при условии, что переход коллектор-подложка изолирующий и всегда закрыт. Остальные ветви имеют тот же смысл, что и в ранее описанных моделях. [60]
Страницы: 1 2 3 4