Ток - неосновной носитель
Cтраница 3
Рассмотрим прохождение тока через полупроводники с разным типом электропроводности, причем для упрощения будем пренебрегать током неосновных носителей. На рис. 1 - 12, как и ранее, дырки изображены светлыми, а электроны - темными кружками. Знаки плюс или минус обозначают соответственно заряженные атомы кристаллической решетки. В полупроводнике п-типа под действием ЭДС источника в проводах, соединяющих полупроводник с источником, и в самом полупроводнике движутся электроны проводимости. В полупроводнике р-типа в соединительных проводах по-прежнему движутся электроны, а в самом полупроводнике ток следует рассматривать как перемещение дырок. Электроны с отрицательного полюса поступают в полупроводник и заполняют пришедшие сюда дырки. К положительному полюсу приходят электроны из соседних частей полупроводника, и в этих частях образуются дырки, которые перемещаются от правого края к левому. [31]
С повышением температуры увеличивается число образующихся пар электрон - дырка и за счет этого особенно растет ток неосновных носителей заряда - обратный ток диода. [32]
Коэффициент переноса р определяется как отношение тока неосновных носителей заряда, достигающих коллекторного перехода, к току неосновных носителей заряда, инжектируемых в базу эмиттером. [33]
Результирующий ток диода оказывается состоящим из трех компонентов ( рис. 1): кроме туннельного тока и тока неосновных носителей, вблизи минимума характеристики преобладает так называемый избыточный ток, на несколько порядков превышающий два других компонента. [34]
Изложенное выше соответствует следующей физической модели: эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении и инжектирует в область базы ток неосновных носителей. [35]
Рекл), обратных токов коллекторного перехода ( / БГРН / л / гон / кген) а также тока неосновных носителей заряда, дошедших до вывода базы ( / рск. Значение и направление тока базы определяются соотношением этих составляющих. [36]
С повышением рабочей частоты или при работе в импульсных режимах ( например, в схемах преобразователей напряжения) увеличение тока неосновных носителей, текущих через переход в обратном направлении, вызывает значительный разогрев кристалла полупроводника. Для того чтобы суммарная мощность, рассеиваемая в диоде при прохождении прямого и обратного тока, не превышала допустимой, на частотах выше 1 кгц задают обычно процентное снижение / выпр или оговаривают величину / 0бР Ср -, которая в данном случае является критерием для определения предельно допустимой рабочей частоты. [37]
Таким образом, приложенное внешнее напряжение может в широких пределах менять величину тока основных носителей и практически не влияет на ток неосновных носителей через переход. [38]
 |
Заряды Qa и Qv и их расположение в базовой области транзистора. [39] |
Здесь сделаем одно дополнительное допущение, которое заключается в том, что в течение времени включения ( или выключения) токи неосновных носителей змиттерного и коллекторного переходов считаются равными. [40]
Интересно отметить, что исходные уравнения дрейфовых моделей основываются на предположении, высказанном еще Флетчером [35], о том, что линии тока неосновных носителей идут перпендикулярно плоскостям р - - переходов. Токи вдоль р-и-переходов могут быть лишь токами основных носителей. Строго это утверждение справедливо для областей баз, непосредственно прилегающих к эмит-терным р - n - переходам, так как для этих областей оно вытекает из возможности применения распределения Больцмаиа для концентрации носителей тока в р - n - переходах, через которые течет не очень большой ток. [41]
Обе названных структуры обеспечивают высокое отношение периметра эмиттера к площади коллектора, что позволяет успешно преодолевать отрицательные последствия эффекта оттеснения, состоящего в смещении к внешнему краю эмиттера тока неосновных носителей заряда, и поддерживать плотность тока не больше допустимого значения. Кроме того, в этих структурах ширина базовой области может быть малой ( до 0 3 мкм), что обеспечивает работу транзистора в СВЧ диапазоне. Различают бескорпусные и корпусные ( рис. 8.3) транзисторы. [42]
 |
Эквивалентная схема секции полупроводника по Линвиллу.| Упрощенная эквивалентная схема. [43] |
Следовательно, емкости смещения могут быть удалены из модели, кроме того 5 1 и Sp могут быть заменены общим элементом 5г, поскольку токи основных носителей равны токам неосновных носителей. [44]
Надо, однако, иметь в виду, что при работе на высоких частотах проводимость коллектора г / 22, помимо составляющей ( 29.6 г), связанной с током неосновных носителей, имеет и чисто емкостную составляющую, связанную с емкостным током, переносимым основными носителями. [45]
Страницы: 1 2 3 4