Ток - основной носитель
Cтраница 1
Ток основных носителей практически равен нулю. [1]
 |
Распределение концетраций основных и неосновных носителей в транзисторе при нормальном смещении.| Распределение токов в транзисторе при нормальном смещении. [2] |
Токи основных носителей построены на основании следующих соображений. В области эмиттера протекает независящий от координаты ток / э, равный сумме токов основных и неосновных носителей. Так как ток неосновных носителей 1пэ ( х) уменьшается по мере удаления от перехода (4.59), то ток основных носителей 1рэ ( х) должен возрастать, так чтобы полный ток оставался постоянным. [3]
Ток основных носителей, или диффузионный ток / ДИф, уменьшается вследствие существования потенциального барьера. [4]
Благодаря этому ток основных носителей уменьшается и практически становится равным нулю. Ток же неосновных носителей по-прежнему практически не изменяется по тем же причинам, что и в предыдущем случае. Ток в направлении от и-области к / j - области не идет. [5]
Током генерации называется ток основных носителей заряда, возникающий в полупроводнике при экстракции из него неосновных носителей. Механизм возникновения этого тока иллюстрируется рис. 9.156, где показано, что электроны, возникающие при тепловой генерации, диффундируют к сечению х а дырки перемещаются в глубь полупроводника. Если сечение х сдвигается влево, то объем увеличивается, что ведет к возрастанию тока генерации. [6]
Благодаря этому сила тока основных носителей увеличивается, поскольку для них уменьшается потенциальный барьер. Сила тока же неосновных носителей практически не изменяется, потому что этот диффузионный ток в основном определяется концентрацией носителей и не зависит от разности потенциалов. [7]
 |
Эквивалентная схема собственно-транзистора. а два К-усилителя. б соединение двух усилителей. [8] |
Как упоминалось ранее, ток основных носителей течет благодаря напряжению на эмиттерном переходе. Для хорошего кристаллического триода, где ток основных носителей очень мал по сравнению с током неосновных носителей, следует, что Кц мала по сравнению с полной проводимостью линии передачи. [9]
Пренебрегается падением напряжения, обусловленным протеканием тока основных носителей по сравнению с падением напряжения на ООЗ. В этом случае электрическое поле возникает лишь благодаря наличию градиента концентрации донорной примеси на границе эпитаксиальной пленки со скрытым п - слоем и акцепторной примеси в диффузионных областях р-типа инжектора и базы. [10]
 |
Энергетическая диаграмма р - n - перехода при приложении прямого ( а и запирающего ( б напряжения. [11] |
Таким образом, при прямом внешнем напряжении ток основных носителей увеличивается. При этом внешнее электрическое поле может стать больше контактного поля, и потенциальный барьер вообще может исчезнуть. [12]
Эти носители после выхода из переходной области образуют ток основных носителей и не влияют на соседние переходы. [13]
В этом случае высота потенциального барьера увеличится и ток основных носителей г0 уменьшится. Уже при напряжениях порядка 1 В этот ток практически будет равен ну-лю, и поэтому через кон-такт будет течь только ток неосновных носителей, гн, который весьма мал. [14]
В этом случае высота потенциального барьера увеличится и ток основных носителей / 0 уменьшится. Уже при напряжениях порядка 1 в этот ток практически будет равен нулю, и поэтому через контакт будет течь только ток неосновных носителей / н, величина которого весьма мала. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5