Ток - основной носитель
Cтраница 3
 |
Потенциальная диаграмма р - я-перехода. [31] |
В результате отталкивающее действие запорного слоя на основные носители возрастает, потенциальный барьер увеличивается и ток основных носителей, протекающий через р - n - переход, уменьшается. При соответствующем напряжении внешнего поля ток, протекающий через р - n - переход, будет определяться только током неосновных носителей, который называется обратным. [32]
 |
Структура полевого ( канального фототранзистора и схема его включения. [33] |
Между областями исток и сток в объеме полупроводника образуется проводящий канал, по которому протекает ток основных носителей. От ширины области пространственного заряда, образованного переходом затвор-канал, зависит сечение канала и величина тока стока. При освещении вблизи перехода создаются электронно-дырочные пары. Под действием электрического поля перехода неосновные носители генерируемых пар переходят в область затвора. Фототек, протекающий через цепь затвора, вызывает на внешнем сопротивлении R3 падение напряжения и изменяет потенциал затвора. [34]
Если к п-области присоединить положительный полюс источника, а к р-области - отрицательный, то ток основных носителей заряда будет весьма мал; для этого запирающего направления сопротивление контакта очень велико. [35]
Полевым транзистором ( его часто называют канальным) называется транзистор с, управляемым каналом для тока основных носителей заряда. Такие транзисторы являются униполярными приборами. [36]
Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей. [37]
В результате этого отталкивающее действие запорного слоя на основные носители возрастает, потенциальный барьер увеличивается и ток основных носителей, протекающий через р-п переход, уменьшается. При соответствующем напряжении внешнего поля ток, протекающий через р-п переход, будет определяться только током неосновных носителей ( рис. 20 6), который называется обратным. [38]
 |
Распределение концентрации примесей и электрического поля в базе транзистора, изготовленного методом диффузии. [39] |
Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей. [40]
Таким образом, температура может в широких пределах менять ток неосновных носителей и практически не влияет на ток основных носителей через переход. [41]
 |
Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [42] |
В случае толстой базы ( рис. 2 - 35, а и 2 - 36, а) ток основных носителей ( в данном случае - электронов) мал только вблизи перехода; на расстоянии ( 2 - т - 3) L от перехода, где слой базы находится почти в равновесном состоянии и роль неосновных носителей ничтожна, ток основных носителей является главным компонентом и имеет практически чисто дрейфовый характер, как в обычном однородном полупроводнике. [43]
Токи 1вре и 1БП1 через резисторы RBP, и Rsni представляют собой продольные ( параллельные плоскостям электронно-дырочных переходов) токи основных носителей в базовых слоях исходного тиристора, протекающие между его включенной и невключенной областями в период спада анодного напряжения. При этом образуется внутренний замкнутый контур для тока: коллекторный переход в области первоначального включения тиристора - базовый слой р2 - коллекторный переход в невключенной области тиристора - базовый слой nt - коллекторный переход в области первоначального включения. [44]
Таким образом, удельное сопротивление исходного полупроводника влияет на ток неосновных носителей через переход и практически не влияет на ток основных носителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5