Ток - основной носитель
Cтраница 2
Перекрытие представляет собой такое расположение переходов, при котором ток основных носителей частично ответвляется. [16]
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей заряда, протекающий через канал, управляется электрическим полем. В полевых транзисторах ток обусловлен носителями заряда только одного знака, в связи с чем их относят к классу униполярных транзисторов. В полевых транзисторах-электрод, через который в проводящий канал втекают носители заряда, называется истоком, а электрод, через который из канала носители заряда вытекают, - стоком. [17]
V V) ( рис. 93, в), ток основных носителей уменьшается до нуля и ток через р - - переход создается только движением неосновных носителей. Вследствие малой концентрации неосновных носителей и большого сопротивления за-порного слоя обратный ток во много раз меньше, чем прямой. [18]
 |
Распределение стационарных потоков носителей в транзисторе. а - активный режим. б - режим насыщения. [19] |
Ток, проходящий к выводу базы, представляет собой алгебраическую сумму токов основных носителей, обусловливающих инжекцию носителей в эмиттер ( / эя. [20]
Таким образом, приложенное внешнее напряжение может в широких пределах менять величину тока основных носителей и практически не влияет на ток неосновных носителей через переход. [21]
 |
Иллюстрация механизма работы тиристора. [22] |
В этом случае величина рекомбинационного тока неосновных неравновесных носителей в базе превышает величину тока основных носителей, поступивших от противоположного эмиттера, и условие равновесия (5.3) достигается за счет тока / к 1Кр / Кп соответствующего заданному UK. [23]
 |
Динамическая характе-ристика лавинного транзистора. [24] |
Кроме того, в режиме умножения тока через базу будет протекать значительный по величине ток основных носителей, который создает в области базы поле, увлекающее инжектированные носители к коллектору. [25]
Полупроводниковый материал базовой области и базовый контакт обладают некоторым объемным омическим сопротивлением rg для тока основных носителей, протекающего по цепи базы. [26]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей. Направление этого поля таково, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Таким образом, под влиянием этого поля носители могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln ( см. § 1.3), но и из более далеких. [27]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln, но и из более далеких. [28]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля неосновные носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине /, , но и из более далеких. [29]
Следует учесть, что в области коллектора действует электрическое поле, связанное с прохождением тока основных носителей заряда и направленное так, что оно способствует движению неосновных носителей к коллекторному переходу. Под влиянием этого поля неосновные носители заряда могут попадать в коллекторный переход не только из областей, равных по толщине Ln, но и из более далеких. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5