Ток - основной носитель
Cтраница 4
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [46] |
При понижении температуры происходит обратное явление: уменьшается поток неосновных носителей, что повышает потенциальный барьер и соответственно снижает ток основных носителей. [47]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода.., - здс на частоте сигнала ш. шЬ Л. 1, шСб. ш /. Д11 Д. 1 / шС Я0. [48] |
ДИОД УПРАВЛЯЕМЫЙ ( controlled diode; diode a commando; Hegeldiode) - однонереход-ный плоскостной транзистор, п к-ром ток основных носителей заряда, протекающий между двумя омнч. Если па эмиттер подано обратное пан ряжение, то ток через него мал и распределение потенциала вдоль пластинки 1111 будет линейным. [49]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода. М - эдс на частоте сигнала ш. ш. / Д. l ( oC6. uL. Д Д. 1 / шС Д0. [50] |
ДИОД УПРАВЛЯЕМЫЙ ( controlled diode; diode a commande; Regeldiode) - однопереход-ный плоскостной транзистор, в к-ром ток основных носителей заряда, протекающий между двумя омич. Если на эмиттер подано обратное напряжение, то ток через него мал и распределение потенциала вдоль пластинки ПП будет линейным. [51]
При изменении обратного напряжения на р-я-переходе изменяется его толщина и, следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда. Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором. [52]
Рост температуры в отдельных ячейках данных приборов приводит, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления структуры и уменьшению тока основных носителей. При этом данные ключи можно рассматривать как термоустойчивые приборы Следует, однако, подчеркнуть возможные причины, приводящие к нарушению термоустойчивости некоторых полевых структур. В предыдущей главе были рассмотрены эквивалентные схемы мощных МДП-транзисторов и IGBT, учитывающие наличие паразитного биполярного л-р-л-транзистора. Нарушения условий применения данных ключей ( токовая перегрузка, скачки выходного напряжения, высокая температура и др.) могут вызвать включение паразитного биполярного транзистора и соответственно развитие эффектов, напоминающих вторичный пробой структуры. [53]
Из описания принципа действия ДДТ следует, что - падение напряжения вдоль границ областей рх и р2, вызываемое током основных носителей, определяет чувствительность прибора к переключению. Следовательно, изменяя каким-либо способом продольное сопротивление областей pt и р2, можно регулировать ток переключения. В этом случае токи основных носителей, проходящие у переходов Д или / 4, будут частично ответвляться и переключение структуры произойдет при более низком токе. [54]
Таким образом, контактное поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей тока через р - n - переход ( так как в токе основных носителей ( / Осн) будут участвовать лишь те из них, энергия которых больше высоты потенциального барьера) и способствует переходу неосновных носителей в противоположном направлении ( электронов из р в n - область, и дырок из п в р), создающих дрейфовый ток / еоси - Равновесие устанавливается при такой контактной разности потенциалов Vk ( высоте потенциального барьера eVk), при которой токи основных и неосновных носителей уравниваются ( / ОСн / неосн) и результирующий ток через р - п-переход равен нулю. Энергетическая схема равновесного р - - перехода изображена на рис. 93, а, слева, причем пунктиром изображен уровень Ферми, который в данном случае во всех частях полупроводниковой системы устанавливается на одинаковой высоте. [55]
 |
Эквивалентная схема секции полупроводника по Линвиллу.| Упрощенная эквивалентная схема. [56] |
Следовательно, емкости смещения могут быть удалены из модели, кроме того 5 1 и Sp могут быть заменены общим элементом 5г, поскольку токи основных носителей равны токам неосновных носителей. [57]
Это вызвано тем, что в любой из баз прибора часть тока неосновных носителей, не достигающая коллектора, меньше, чем приходящий в базы ток основных носителей от противоположных эмиттеров. Более просто можно объяснить работу четырехслойной структуры так. Инжектированные одним из эмиттеров носители пересекают область, где они являются неосновными, частично рекомби-нируя в ней. [58]
Когда К р-п переходу приложено электрическое поле плюсом к р-области и минусом к я-области ( рис. 20, в), то поле р-п перехода компенсируется и ток, протекающий через р-я переход, определяется током основных носителей. Ток, образуемый основными носителями, называют прямым. [59]
Следует иметь в виду, что величины В и б являются функциями как времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводнике, так и геометрии прибора, так как обе эти величины зависят от плотности тока неосновных носителей заряда, если эта плотность сравнима с плотностью тока основных носителей. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5