Ток - рекомбинация
Cтраница 1
Ток рекомбинации представляет более существенную угрозу для правильного определения низких концентраций воды, особенно в водороде и кислороде. [1]
Ток рекомбинации при анализе характеристик р-и-перехода принято разделять на две составляющие. Поскольку поверхностная составляющая тока рекомбинации является основной, различие экспериментальных характеристик от расчетных по изложенным ранее представлениям следует искать в допущениях, которые не могут уже иметь места при анализе тока поверхностной рекомбинации. [2]
Величина тока рекомбинации п его доля в общем прямом токе перехода зависит от материала, из которого изготовлен переход. При больших прямых смещениях перехода ток рекомбинации не играет заметной роли. [3]
Jr - ток рекомбинации; величина агСг имеет то же значение, что в разд. [5]
Первое определяется токами рекомбинации электронов и дырок, диффундирующих от поверхности к объему. В силу условия нейтральности 8и Ьр, поэтому градиенты концентраций одинаковы. Поскольку результирующего электрического тока в глубь полупроводника быть не может, то вблизи поверхности устанавливается электрическое поле в таком направлении, чтобы ускорить поток дырок и замедлить поток электронов. [6]
Аналогичным образом возникает ток рекомбинации при инжек-ции дырок в электронный полупроводник. [7]
Ток tpen называют током рекомбинации. [8]
 |
Конструктивные схемы фототранзисторов.| Распределение чувствительности по диаметру фототранзистора. [9] |
Это происходит вследствие увеличения тока рекомбинации, так как в образовании фототока большую роль играют носители заряда, возбужденные светом на - достаточно большом расстоянии от коллекторного перехода. Уменьшение коэффициента собирания приводит не только к абсолютному уменьшению чувствительности, но и к ее сильной температурной зависимости. [10]
Поскольку в микрорежиме вклад тока объемной рекомбинации в общий ток базы незначителен, ширина базы с уменьшением рабочего тока оказывает меньшее влияние на величину коэффициента передачи, чем в номинальных режимах работы биполярного транзистора. [11]
 |
Распределение концентрации электронов от координаты ( а, зависимость т ( т в транзисторе с ускоряющим полем в базе ( б и распределение п ( х в реальном транзисторе ( в. [12] |
Это приводит к уменьшению тока объемной рекомбинации электронов в базе Ivb Q. [13]
При прямом смещении переходе превалирует ток рекомбинации -, поскольку резко возрастают концентрации дырок и электронов. Рекомбинационный ток уменьшает суммарный ток и может быть. Если при малых напряжениях ( малых уровнях инжекции) рекомбинационный ток может составлять значительную часть суммарного прямого тока диода, то с ростом напряжения он неизбежно уступает эту роль диффузионному току и ВАХ диода хорошо описывается приведенными зависимостями для идеального диода. [14]
Приведенная выше теория позволяет определить ток объемной рекомбинации при изменении f / gg, но ток поверхностной рекомбинации может дать один или несколько пиков своей величины, поскольку действительная природа его изменения будет также зависеть от распределения плотности поверхностных ловушек в запрещенной зоне и будет связана с сечениями захвата носителей. Поверхностная рекомбинация достигает максимума, когда плотности электронов и дырок на поверхности равны ( это соответствует условию почти собственной проводимости на шиерхности), если сечения захвата поверхностных ловушек электронов и дырок не сильно различаются. [15]
Страницы: 1 2 3 4