Ток - рекомбинация
Cтраница 3
Ток 1п ( х) почти не зависит от х, так как при Ws Ln ток рекомбинации в базе очень мал. [31]
 |
Механизм возникновения тэков диффузии, рекомбинации и генерации.| Возникновение тока рекомбинации ( а и тока генерации ( б. [32] |
Движение основных носителей заряда, возникшее в полупроводнике при инжекции в него неосновных носителей, называется током рекомбинации. [33]
Получено выражение для сопротивления потерь p - i - n диода на СВЧ при положительном смещении, учитывающее токи рекомбинации в сильнолегированных областях. Проведено сравнение расчетных значений г с экспериментальными для сплавных p - i - n диодов. [34]
Падение напряжения на участке n - области U) зависит от удельного сопротивления тг-области и опреголяется геометрией растекания тока рекомбинации. При высоком уровне инжекции сопротивление а-области зависит от ее ширины, площади р-п-перехода и концентрации примеси. [35]
В состоянии динамического равновесия ( U 0) встречные потоки носителей компенсируются, так что ток генерации равен току рекомбинации. [36]
Ширина базы весьма значительно влияет на величину коэффициента усиления В при номинальных токах, поскольку основным током базы является ток рекомбинации носителей в объеме базы. [37]
Здесь l Kj - среднее значение теплового тока коллекторного перехода; тк - коэффициент, при помощи которого учитывается влияние тока рекомбинации и канального тока коллекторного перехода; г к - объемное сопротивление коллекторного слоя. [39]
В заключение рассмотрим вопрос о работе фототранзистора в условиях, когда рекомбинационный ток в эмнт-терном р - тг-переходе сравним или превышает ток рекомбинации в базе, а также электронный ток эмиттера. [40]
Так как в реальных транзисторах эффективность эмиттера близка к единице и рекомбинация в базе также мала, а следовательно, мал ток рекомбинации ( электронный ток в р-п - р транзисторе, рассматриваемом здесь), то плотность электронного тока можно считать равной нулю. Эти условия приводят к таким же уравнениям для электрического поля, какие были получены в гл. [41]
В неравновесном состоянии, когда под действием обратного напряжения величина потенциального барьера увеличивается, условия проникновения носителей в область перехода ухудшаются и ток рекомбинации уменьшается. В результате ток термогенерации начинает преобладать над током рекомбинации и увеличивает обратный ток. [42]
Таким образом, с учетом вышеизложенного можно заключить, что в пленарных кремниевых р - n - переходах ток поверхностной рекомбинации значительно больше тока объемной рекомбинации. При обеднении приэмиттерной поверхности базы в транзисторах степень увеличения тока базы определяется ооверхностной рекомбинацией. [43]
Появление тока термогенерации / тр связано с процессами генерации и рекомбинации, подробно рассмотренными в § 4.1. В равновесном состоянии этот ток компенсируется равным по величине током рекомбинации / рек, а в неравновесном состоянии это равенство нарушается. Если приложено обратное напряжение, ток рекомбинации практически равен нулю, так как при увеличении потенциального барьера проникновение носителей в область перехода и их последующая рекомбинация затруднены. Составляющая / тг складывается с тепловым током / 0, увеличивая значение обратного тока. С ростом обратного напряжения увеличивается ширина перехода, что способствует росту генерации носителей внутри перехода и соответственно увеличению тока / тг. Величина тока термогенерации зависит от типа полупроводника. На основании этих выкладок можно сделать вывод, что обратный ток в германиевых р - - переходах обусловлен в основном тепловым током, а в кремниевых р - п-переходах - током термогенерации. [44]
Приближенная запись соответствует / / miJK и справедливо для достаточно больших прямых напряжений ( для кремния 1 / о0 4ч - 0 5 В), когда можно пренебречь током рекомбинации. В этом случае диффузионная емкость, экспоненциально возрастающая с увеличением напряжения, обычно значительно превышает барьерную. В этом случае диффузионная емкость меньше барьерной и ею часто пренебрегают. [45]
Страницы: 1 2 3 4