Cтраница 4
При обратном напряжении ( U 0) потенциальный барьер в переходе возрастает, глубина проникновения частиц в запирающий слой уменьшается, снижается вероятность их рекомбинации в переходе и, следовательно, уменьшается ток рекомбинации. Наряду с этим увеличение обратного напряжения приводит к расширению запирающего слоя и росту объема, в котором происходит генерация подвижных носителей. [46]
Здесь а / и Р / - инверсные коэффициенты передачи токов коллектора и базы соответственно; Г3т - среднее значение теплового тока эмиттерного перехода; / пэ - коэффициент, при помощи которого приближенно учитывается влияние тока рекомбинации и канального тока для эмиттерного перехода. [47]
Объяснение физического смысла сопротивления коллектора аналогично объяснению наклона статических выходных характеристик в схеме с общей базой ( см, § 5.5), Там же на рис. 5.9, б показано изменение количества инжектированных носителей при изменении напряжения на коллекторе, в результате чего меняется ток рекомбинации. [48]
Инжектированные краевыми участками электроны попадают в пассивную базу, где проходят большой путь до коллекторного перехода, причем часть пути движутся около поверхности. Ток рекомбинации в базе увеличивается, и, следовательно, коэффициент передачи уменьшается. Дополнительное снижение коэффициента передачи при этом обусловлено возрастанием концентрации инжектированных носителей и вызванным этим уменьшением удельного сопротивления областей базы, расположенных около краев эмиттерного перехода, что приводит к уменьшению его коэффициента инжекции. [49]
Электрическое поле, которое всегда есть в переходе, быстро уносит генерируемые носители в соответствующий слой диода, что вызывает протекание некоторого тока - тока термогенерации IQ. Ток рекомбинации обусловлен теми носителями, которые непрерывно проникают в переход из эмиттера и базы, но не имеют достаточной энергии, чтобы перейти в смежный слой. Вблизи точки отражения ( см. рис. 2 - 6) такие носители имеют малую скорость и успевают рекомбиниро-вать. [50]
Как видим, ток IR, подобно току / 0, пропорционален собственной концентрации nh a потому его значение и доля его в общем прямом токе диода существенно зависят от материала. Ток рекомбинации, так же как и ток термогенерации, играет глазную роль в кремниевых диодах. В германиевых диодах его роль может стать заметной при пониженной температуре, когда тепловой ток / 0 сильно уменьшается. [51]
Как видим, ток IR подобно току 1а пропорционален собственной концентрации п, а потому его величина и доля его в общем прямом токе диода существенно зависят от материала. Ток рекомбинации, так же как и ток термогенерации, играет главную роль в кремниевых диодах. В германиевых диодах его роль может стать заметной при пониженной температуре, когда тепловой ток / сильно уменьшается. [52]
В последних двух равенствах индекс t может относиться к обоим типам центров ( а или Ь) и bpt - bnt. Для слабых сигналов ток рекомбинации через данный набор поверхностных центров можно рассматривать как ток, создаваемый разностью квазиуровней Ферми 8 и 8фр через четыре последовательных эффективных сопротивления ( фиг. [53]