Ток - рекомбинация
Cтраница 2
СКв, а необходимо также учитывать ток рекомбинации / рек. [16]
В равновесном состоянии этот ток компенсируется током рекомбинации, создаваемым носителями, которые входят в область перехода со стороны базы и эмиттера, но не имеют достаточной энергии для того, чтобы перейти в смежную область. [17]
В этом случае при прямом напряжении преобладает ток рекомбинации, а при обратном - ток генерации. [18]
 |
Схематическая конструкция. [19] |
Оценим, например, фо-тоток / / и токи рекомбинации для конструкции, пред. [20]
Таким образом, в транзисторах ток базы является током рекомбинации. [21]
В) входной ток уменьшается из-за снижения толщины базы и тока рекомбинации. [22]
Из (8.87) видно, что с увеличением V относительная доля тока рекомбинации в прямом токе быстро уменьшается. На рис. 8.16 показано влияние процессов генерации и рекомбинации носителей тока в области объемного заряда на вольтамперную характеристику р-п перехода. Протекание этих процессов приводит к увеличению тока как в прямом, так и в обратном направлении, причем в прямом направлении уже при незначительных V ветви тонкого и толстого переходов практически сливаются. [23]
У кремниевых диодов, у которых начальный участок характеристики обусловлен током рекомбинации ( 2 - 61), наклон, близкий к V2, обычно получается на всем протяжении характеристики. [24]
 |
Движение носителей зарядов ( а и токи в транзисторе ( б. [25] |
Ток базы / в представляет собой разность управляющего и управляемого токов ( ток рекомбинации дырок в базе); основные носители базы - электроны при компенсации движения дырок через эмиттерный и коллекторный переходы движутся в выводе базы в различных направлениях. [26]
Другим важным свойством полевых транзисторов является низкий уровень собственных шумов, вследствие отсутствия тока рекомбинации, присущего обычным транзисторам. [27]
 |
Транзистор в схеме с щей базой. [28] |
Из сказанного следует, что ток базы состоит из электронной составляющей эмиттерного тока, тока рекомбинации и теплового тока. [29]
В германиевых диодах его наклон определяется значением теплового тока, в кремниевых диодах - током рекомбинации. Резкий рост прямого тока у германиевых диодов начинается как лра-вило, при меньших значениях прямого напряжения. [30]
Страницы: 1 2 3 4