Эмиттерной ток

Cтраница 1

Выходные ( а и передаточная ( б характеристики полевого транзистора. [1]

Тепловые эмиттерные токи при этом пренебрежимо малы, примерно одинаковы в силу симметрии параметров транзисторов и направлены противоположно в цепи нагрузки. При подаче переменного ( чаще всего синусоидального) входного сигнала в зависимости от его фазы открывается тот или другой транзистор, создавая разнонаправленные токи в сопротивлении нагрузки. Конденсатор Ср разделяет источник входного сигнала [ 7ВХ с входом усилителя по постоянному току. [2]

Кумуляция эмиттерного тока приводит, как станет ясно из дальнейшего, к еще более резкой кумуляции мощности в коллекторном переходе. Оказывается, что в определенных условиях эффект кумуляции ведет к состоянию неустойчивости в распределении плотности эмиттерного тока по сечению. Эмиттерный ток стягивается в узкий шнур. При этом выделение тепла в коллекторном переходе сосредоточивается в столь малом объеме, что в некоторой области транзистора температура поднимается до нескольких сотен градусов. [3]

Электроны эмиттерного тока, пройдя через эмиттерный переход, движутся сквозь основание и проникают в область коллекторного перехода, увеличивая тем самым ток коллектора. Коллекторный переход работает при обратном напряжении. Справа от перехода в области п имеется положительный заряд, слева - в области р - отрицательный заряд. Между ними возникает электрическое поле. Оно способствует продвижению через коллекторный переход электронов, пришедших сюда сквозь основание от эмиттера. Если толщина основания достаточно мала, то большинство электронов, пройдя через этот тонкий слой, не успевает рекомбинировать с дырками и достигает коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов, прошедших через эмиттерный переход, рекомбинирует с дырками и образует ток / 0, протекающий в проводе основания. [4]

Схемы включения транзистора. [5]

Изменение эмиттерного тока ia приведет к изменению коллекторного тока гк приблизительно в тех же пределах. [6]

Принципиальные схемы транзисторных усилительных каскадов. а - с oCutefl базой ( ОБ. б - с общим эмииером ( ОЭ. [7]

Пульсации эмиттерного тока заставляют по тому же закону пульсировать и ток в цепи коллектора. [8]

Ввиду очень малого обратного эмиттерного тока закрытого транзистора самоотпирание транзистора при Еэ 0 не происходит. [9]

Коэффициент передачи эмиттерного тока, хотя он и меньше единицы, часто называют коэффициентом усиления по току плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой. [10]

Относительное изменение эмиттерного тока ( 20) меньше, чем относительное изменение коллекторного тока, и имеет тот же знак. Следовательно, при повышении температуры эмиттерный ток увеличивается, но в меньшей степени, чем коллекторный. [11]

При наличии эмиттерного тока в р область со стороны эмит-терного перехода попадают электроны, которые для данной области являются дополнительными, неосновными носителями. Не успевая рекомбинировать, они доходят до области коллекторного перехода и уменьшают ее сопротивление. Чем больше ток эмиттера, тем больше дополнительных электронов приходит к коллекторному переходу и тем меньше становится его сопротивление. Соответственно увеличивается ток коллектора. [12]

При отсутствии эмиттерного тока ( цепь эмиттера разомкнута) через транзистор протекает тепловой ток / ко обратно смещенного коллекторного перехода. Этот ток аналогичен току насыщения полупроводникового диода и определяется концентрацией неосновных носителей в базе и коллекторе транзистора. [13]

Потенциальные диаграммы бездрейфового транзистора p - n - р тша при отсутствии ( а и наличии ( б внешнего электрического поля. [14]

Электронная составляющая эмиттерного тока незначительна, так как концентрация электронов в базовой области обычно значительно ниже концентрации дырок в эмиттерной области. При достаточно тонкой базе область рекомбинации мала и базовый ток составляет I - т - 5 % от эмиттерного тока. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5