Эмиттерной ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Есть люди, в которых живет Бог. Есть люди, в которых живет дьявол. А есть люди, в которых живут только глисты. (Ф. Раневская) Законы Мерфи (еще...)

Эмиттерной ток

Cтраница 3


31 Вольтамперные характеристики триода типа р-п - р, включенного по схеме с общей базой. [31]

Однако с увеличением эмиттерного тока / 3 коэффициент передачи тока а у кремниевых триодов несколько снижается.  [32]

С ростом плотности эмиттерного тока генерационный компонент начинает быстро падать, а рекомбинационный достигает насыщения и оказывается пренебрежимо малым по сравнению с инжекционным компонентом. Эффективность эмиттера быстро возрастает и начинает определяться уже соотношением концентраций носителей в л - и р-обла-стях. Обратим внимание, что это справедливо для низких уровней инжекции.  [33]

При малых значениях эмиттерного тока ( - 50 мка) дрейф по напряжению, вызванный изменением afb, составляет приблизительно 30 - 300 мкв / град.  [34]

35 Зависимость коэффициента усиления по току от тока эмиттера для кремниевого транзистора. [35]

При небольших плотностях эмиттерного тока коэффициент усиления по то у а зависит от тока эмиттера.  [36]

37 Токи в цепях триода. [37]

Катодный ток аналогичен эмиттерному току биполярного транзистора или току истока полевого транзистора.  [38]

Транзистор VT3 открывается эмиттерным током транзистора VT2 и также переходит в режим насыщения.  [39]

Этот ток является эмиттерным током транзистора 7Y Транзистор Tt при этом заперт.  [40]

При повышении напряжения Ua эмиттерные токи и коэффициенты ai и а2 возрастают.  [41]

Оценим величину возможного изменения эмиттерного тока.  [42]

Для упрощения рисунка стабилизатор эмиттерного тока на рис. 66, б, в и г условно показан в виде одного резистора.  [43]

Выражение для дырочной составляющей эмиттерного тока через р-п переход можно найти следующим образом: так как ширина базы w значительно меньше Lp, то при определении градиента концентрации дырок в базе надо вместо Lp пользоваться значением w, учитывая, что концентрация дырок в базе у коллектора равна нулю.  [44]

45 Зависимость входного Б Да уменьшается, отчасти, импеданса короткозамкнутой це - Из-за увеличения эмиттер но - пи от тока эмиттера. го то. ка стремясь тем самым. [45]



Страницы:      1    2    3    4    5