Cтраница 3
![]() |
Вольтамперные характеристики триода типа р-п - р, включенного по схеме с общей базой. [31] |
Однако с увеличением эмиттерного тока / 3 коэффициент передачи тока а у кремниевых триодов несколько снижается. [32]
С ростом плотности эмиттерного тока генерационный компонент начинает быстро падать, а рекомбинационный достигает насыщения и оказывается пренебрежимо малым по сравнению с инжекционным компонентом. Эффективность эмиттера быстро возрастает и начинает определяться уже соотношением концентраций носителей в л - и р-обла-стях. Обратим внимание, что это справедливо для низких уровней инжекции. [33]
При малых значениях эмиттерного тока ( - 50 мка) дрейф по напряжению, вызванный изменением afb, составляет приблизительно 30 - 300 мкв / град. [34]
![]() |
Зависимость коэффициента усиления по току от тока эмиттера для кремниевого транзистора. [35] |
При небольших плотностях эмиттерного тока коэффициент усиления по то у а зависит от тока эмиттера. [36]
![]() |
Токи в цепях триода. [37] |
Катодный ток аналогичен эмиттерному току биполярного транзистора или току истока полевого транзистора. [38]
Транзистор VT3 открывается эмиттерным током транзистора VT2 и также переходит в режим насыщения. [39]
Этот ток является эмиттерным током транзистора 7Y Транзистор Tt при этом заперт. [40]
При повышении напряжения Ua эмиттерные токи и коэффициенты ai и а2 возрастают. [41]
Оценим величину возможного изменения эмиттерного тока. [42]
Для упрощения рисунка стабилизатор эмиттерного тока на рис. 66, б, в и г условно показан в виде одного резистора. [43]
Выражение для дырочной составляющей эмиттерного тока через р-п переход можно найти следующим образом: так как ширина базы w значительно меньше Lp, то при определении градиента концентрации дырок в базе надо вместо Lp пользоваться значением w, учитывая, что концентрация дырок в базе у коллектора равна нулю. [44]
![]() |
Зависимость входного Б Да уменьшается, отчасти, импеданса короткозамкнутой це - Из-за увеличения эмиттер но - пи от тока эмиттера. го то. ка стремясь тем самым. [45] |