Эмиттерной ток
Cтраница 2
При равенстве эмиттерных токов это относится и к изменениям - f EZ-Равенство эмиттерных токов необходимо и для наилучшей компенсации дрейфа. Его добиваются обычно, заменяя сопротивления R0 потенциометром, к среднему отводу которого подключено Rg. Однако более радикальным путем увеличения R3 является включение вместо него генератора постоянного тока, выполненного на транзисторе по схеме с общей базой. Схема такого типа будет показана ниже. Выходное сопротивление стабилизирующего транзистора определяется величиной г о ( 1 Ввуб) и составляет единицы и десятки мегом. При нормальных режимах для включения таких Ra понадобились бы источники EZ с номиналами в сотни и тысячи вольт, использование которых по понятным причинам затруднительно. [16]
С ростом эмиттерного тока проявляется так называемый эффект оттеснения тока эмиттера от центра к периферии. Об этом эффекте более подробно будет рассказано в следующем параграфе. В результате центральная часть эмиттера перестает работать и пути тока в активной части базы сокращаются. Это может привести к уменьшению первого слагаемого. [17]
Коэффициент передачи эмиттерного тока определяется не только характером движения носителей в базе и вероятностью их рекомбинации, но также процессами в эмиттерном и коллекторном переходах. [18]
С изменением эмиттерного тока / э коллекторный ток / к изменяется приблизительно в тех же пределах. [19]
При отсутствии эмиттерного тока ( цепь эмиттера разомкнута) через транзистор протекает ток обратно смещенного коллекторного перехода / Кбо. [20]
 |
Устройство ( а, схема включения ( б и вольтамперная характеристика ( в однопереходного транзистора. [21] |
Дальнейшее увеличение эмиттерного тока ( участок ВС) связано с повышением внешнего эмиттерного напряжения. [22]
Коэффициент передачи эмиттерного тока определяется не только характером движения носителей в базе и вероятностью их рекомбинации, но также процессами в эмиттерном и коллекторном переходах. [23]
 |
Упрощенная схема АПС на дифференциальных транзисторных. [24] |
Для регулирования эмиттерных токов транзисторов УДТ используется линейный преобразователь напряжение - ток ( ПНТ), управляемый напряжением Ux. Этот преобразователь выполнен на основе дифференциального усилителя с последовательной отрицательной обратной связью по току ( резистор Rx) и формирует из токов / 0 генераторов стабильного тока h и / 2 токи 1а 1х и / о - 1х - При этом выполняется соотношение 1Х Uxl ( 2ra Rx), где гэ - сопротивление эмиттерных переходов транзисторов ПНТ. [25]
ЛГд пропорционален эмиттерному току. [26]
 |
Энергетическая диаграмма и распределение токов в транзисторе, работающем в усилительном режиме. [27] |
Помимо дырочной составляющей эмиттерного тока а / э через коллекторный переход, как показано на рис. 4.4, б, протекает электронная InSK и дырочная IPSK составляющие тока насыщения собственно коллекторного перехода. [28]
 |
Схема включения одно-переходного транзистора для работы в усилительном режиме. [29] |
Так как плотность эмиттерного тока определяется величиной напряжения, приложенного к переходу, то одному и тому же внешнему отпирающему напряжению будет соответствовать тем больший ток, чем большая площадь эмиттера. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5