Эмиттерной ток

Cтраница 4

При очень низких величинах эмиттерного тока входной импеданс резко возрастает, как показано на рис. 6.6. В усилителе, работающем в режиме класса А, это приводят к скрутлению верхушек сигнала, которое может привести к. Внезапный подъем входного импеданса при малом эмиттер-ном токе вызывает особые затруднения для усилителей, работающих в режиме класса В, и будет рассмотрен в соответствующем параграфе этой главы. [46]

При очень малой плотности эмиттерного тока коэффициент усиления по току, разумеется, сначала возрастает при увеличении плотности тока вследствие уменьшения рекомбинационных потерь. Это явление находит практическое применение в тиристорах. [47]

Расчеты коллекторных напряжений и эмиттерных токов при номинальных и измененных значениях сопротивлений выполнены для всех схем при следующих величинах напряжений питания: Ual С / П2 20 в; Un3 24 в. [48]

Для уменьшения электронной составляющей эмиттерного тока базу насыщают примесью незначительно. [49]

За время протекания импульса эмиттерного тока допускается спад коллекторного напряжения, не превышающий 10 % от напряжения коллекторного источника. Величина базового сопротивления допускается такой, чтобы падение на нем не превышало 10 % напряжения коллекторного источника. Полярность этого напряжения совпадает с полярностью коллекторного напряжения. Поэтому падение напряжения на базовом сопротивлении частично компенсирует спад коллекторного напряжения к концу импульса эмиттерного тока. [50]

Ответвляемая в коллектор часть эмиттерного тока, равная а / э, почти не зависит от величины гк. Это обстоятельство позволяет учитывать действие тока 1Э на цепь коллектора введением в нее эквивалентного генератора тока а / а, под - - ключенного параллельно сопротивлению гк. [51]

Для уменьшения электронной составляющей эмиттерного тока базу насыщают примесью незначительно. [52]

Транзисторный дифференциальный усилитель. [53]

Дг - часть приращения эмиттерного тока первого транзистора, ответвляющаяся в эмиттерное сопротивление; числитель правой дроби равен сопротивлению второго транзистора со стороны его эмиттера. [54]

Величина базового тока определяется эмиттерным током и током утечки через смещенный в обратном направлении коллекторный переход. В кремниевых транзисторах ток утечки очень мал, но быстро нарастает с температурой. Величина коэффициента усиления по постоянному току / ZFE определяет составляющую базового тока, зависящую от тока эмиттера. Поскольку эмиттерный ток задается источником тока в цепи эмиттера, то изменения / ZFE вызовут изменения входного тока. Базовые токи обычно задаются внешними источниками тока, как показано на фиг. Неуравновешенный базовый ток, проходящий через сопротивление источника тока, приводит к появлению потенциала, который усиливается согласно коэффициенту усиления с обратной связью. При малых эмиттерных токах и базовые токи меньше, а значит, меньше вероятность возникновения большого различия между двумя базовыми токами. Кроме того, использование транзисторов, подобранных по / ZFE, уменьшает различие в базовых токах. Снижение полного сопротивления источника тоже приводит к меньшему уходу нуля по напряжению, обусловленному уходом нуля по току. Однако это не всегда осуществимо, поскольку чрезмерно ограничивает допустимую величину сопротивления источника при использовании некоторых типов коммутаторов. [55]

Для регулирования баланса между эмиттерным током и коллекторным напряжением использован потенциометр 2 5 ком, чтобы АРУ в пределах диапазона управления не оказывало недопустимого влияния на частотную характеристику. [56]

Задача 1.23. Почему с ростом эмиттерного тока точка пересечения графика выходной ВАХ ( рис. 1.10, б) с осью абсцисс перемещается влево. [57]

Зависимость коэффициента.| Переходная характеристика транзистора при общей базе. [58]

Отметим, что при наличии эмиттерного тока для запирания коллекторного перехода необходимо небольшое положительное коллекторное напряжение. [59]

Шумы токораспределеуия вызваны флюктуациями распределения эмиттерного тока между базой и коллектором. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5