Обратный ток - насыщение
Cтраница 1
Обратный ток насыщения очень сильно зависит от температуры и удельного сопротивления материала, на основе которого изготовлен переход. Так как величина ni в кремнии значительно меньше, чем в германии, то ток насыщения перехода, изготовленного на основе кремния, теоретически на 5 - 6 порядков меньше, чем ток насыщения германиевого перехода. [1]
Обратный ток насыщения фронтального слоя этих элементов был снижен до 10 - 14 А / см2, и предсказана возможность получения элементов с Voc 0 7 В. [2]
Определить обратный ток насыщения диода, если подвижность электронов л - 0 30 м2 / ( В-с), подвижность дырок ipQ 5 м2 / ( В-с), концентрация собственных носителей заряда п42 5 - 1019 м - 3 при 7300 К. [3]
 |
Вольт-амперные характеристики нелинейных двухполюсников. [4] |
Так называемый обратный ток насыщения, составляющий дол и наноампера для маломощных диодов; UT - тепловой потенциал перехода, равный 26 мВ при комнатной температуре 300 К. [5]
Диод имеет обратный ток насыщения / оЮ мкА, напряжение, приложенное к диоду, равно 0 5 В. [6]
Вклад в темновой обратный ток насыщения / 0 дают два члена: ток J0n электронов, инжектированных в р-базу, который зависит от параметров Мл, fn и базовой области элемента на основе структуры п - р, и ток JQp дырок, инжектированных в легированный слой п - типа, зависящий от Ир, Тр и Sp. Составляющая Jon значительно превышает JQp в тонком легированном слое толщиной 0 2 - 0 5 мкм, в котором тр 10 8 с и Sp 104 см / с. Однако при изменении хотя бы одного из этих параметров легированного слоя может существенно увеличиться вклад / Ор в - А, что приведет к уменьшению Voc. Из-за очень малой толщины - слоя и очень высоких значений ND ( 1019 - 1020 см 3), а также наличия почти наверняка неоднородных распределений ND, тр и др эти параметры и Sp трудно точно измерить и еще труднее удовлетворительно промоделировать. [7]
В диоде устанавливается обратный ток насыщения. [8]
Идеальный кремниевый р-л-переход имеет обратный ток насыщения / 030 мкА при Г125 С. [9]
Германиевый полупроводниковый диод, имеющий обратный ток насыщения / 025 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0 1 В, и Г300 К. [10]
При выдерживании образца в кислороде обратный ток насыщения в нем изменяется. Ток насыщения во втором случае начинается в интервале от 0 1 до 1 0 в. Это приблизительно в 10 раз больше величины напряжения насыщения, нормально наблюдаемой и предсказываемой теоретически [5] для объемного р-га-перехода в германии, IIs [ exp ( evl / cT) - 1 ], откуда для напряжения насыщения V получается около 25 мв. [11]
Такой переход обладает большей величиной обратного тока насыщения / 0, что приводит к большему дробовому шуму, чем у более сильно легированного перехода. Как было указано в разд. В достигается линейность сигнала при изменении его на девять порядков. [12]
Определить, во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения сплавного p - n - перехода диода, если температура увеличивается: а) от 20 до 80 С для германиевого диода; б) от 20 до 150 С для кремниевого диода. [13]
Германиевый сплавной p - n - переход имеет обратный ток насыщения / о1 мкА, а кремниевый с такими же размерами - / 0Ю - 8 А. [14]
Увеличение температуры окружающей среды влечет за собой увеличение обратного тока насыщения / jfSo транзистора и уменьшение напряжения БЭпр. [15]
Страницы: 1 2 3 4