Обратный ток - насыщение
Cтраница 2
 |
Диодные характеристики ряда солнечных элементов на основе GaAs. [16] |
В табл. 5.2 приведены значения диодных коэффициентов А и обратных токов насыщения / 0 для различных солнечных элементов, а также значения, рассчитанные исходя из параметров уже известных ранее материалов. [17]
Кроме того, малый локальный ток, который родственен обратному току насыщения p - n - перехода диода, протекает между базовым и коллекторным выводами через область коллекторного перехода. [18]
При изменении направления напряжения уже при малых напряжениях имеет место обратный ток насыщения, который при увеличении напряжения начинает увеличиваться - в большинстве случаев медленно и лишь для некоторых полупроводниковых материалов сравнительно быстро - до тех пор, пока не наступает пробой. Значение обратного тока, как это нетрудно видеть из рассмотрения поведения неосновных носителей заряда при изменении температуры, сильно зависит от температуры. Заметим, что ток и напряжение вызывают потери мощности в проводнике, и это может существенно искажать вид характеристики. В области пробоя нагрев за счет обратного тока может играть решающую роль. Например, такой нагрев является основной причиной того, что в приведенной на рис. 3 отрицательной характеристике имеет место пробой, являющийся обычно причиной разрушения вентиля. [19]
При расчете ключа в области отсечки следует учесть, что обратный ток насыщения коллекторного перехода / коб почти не зависит от приложенного напряжения и возрастает при увеличении 9 15 Схема замещения полу. [20]
Германиевый p - n - переход с площадью П мм2 имеет обратный ток насыщения / о10 мкА при ГЗООК. Полагая, что ток обусловлен только электронами, вычислить диффузионную длину электронов Ln в р-области. [21]
При включении батареи в обратной полярности через несимметричный р-п переход течет обратный ток насыщения неосновных носителей, обязанный движению главным образом дырок из п-в р-область. [22]
 |
Логарифмирование сигналов.| Структурная схема интегратора. [23] |
ХЮ-23 Дж / К - постоянная Больцмана; Т - абсолютная температура; / о - обратный ток насыщения; мэб - напряжение эмиттер-база. [24]
Последний член в уравнении (5.79) не содержит коэффициента поглощения и представляет собой вклад поверхностного слоя в обратный ток насыщения диода. [25]
 |
Схема включения фотодиода.| Характеристики фотодиода. [26] |
При полном затемнении ( Ф 0) через фотодиод протекает темновой ток / Т) равный сумме обратного тока насыщения р - п-перехода и тока утечки. С ростом светового потока ток / д увеличивается. [27]
Последнее условие ( для г) само по себе требует высоких величин / кз в сочетании с минимальным обратным током насыщения диода. [28]
 |
Зависимость относительной мощности генерации от отношения постоянного и пускового токов. [29] |
Так как непосредственная экспериментальная проверка этой зависимости в непрерывном режиме невозможна ( с ростом тока питания растет и обратный ток насыщения р-п перехода), использовался импульсный режим работы, при котором можно считать / 0бР - const. [30]
Страницы: 1 2 3 4