Обратный ток - насыщение
Cтраница 4
 |
Изменение удельного сопротивления кремния при термообработке. [46] |
Из теории р-п переходов [13] следует, что обратный ток насыщения диода при нормальной температуре должен иметь порядок 10-и а / см2 и не зависеть от приложенного обратного смещения до тех пор, пока напряженность поля не станет достаточной для лавинного умножения. [47]
Правда, численные значения тока / б значительно меньше полного тока, текущего через переход. При достаточно больших значениях UK ток / ко достигает значения обратного тока насыщения IKS. Характеристики при больших значениях UK выходят из одной точки и практически сливаются. [48]
Дас и др. [74] измерили вольт-амперные характеристики солнечных элементов на основе Cu2S - ZnxCd - xS и установили, что при всех возможных значениях х существуют два механизма протекания тока. У элементов обоих типов при любой температуре увеличение концентрации цинка приводит к понижению обратного тока насыщения. У элементов, создаваемых методом вакуумного испарения, возрастание напряжения холостого хода, связанное с повышением концентрации Zn, вызвано уменьшением обратного тока насыщения, которое обусловлено главным образом увеличением ФВ - Авторы [74] отмечают, что несоответствие параметров кристаллических решеток используемых материалов не оказывает существенного влияния на плотность состояний в области границы раздела. Марти-нуцци и др. [22] утверждают, что в исследованных ими элементах возрастание Voc связано непосредственно с увеличением высоты барьера и, следовательно, с уменьшением & ЕС. [49]
Так КЭаас мало зависит от температуры, Е / ВЫ. С будет наименьшим ( R const) при максимальной температуре перехода транзистора, когда обратный ток насыщения / Бо максимален. [50]
Эффективность преобразования энергии солнечными элементами решающим образом зависит от концентрации дефектов, влияющих на время жизни т неосновных носителей заряда в активных слоях. С ростом т увеличивается не только ток короткого замыкания Jsc, но также напряжение холостого хода Voc вследствие уменьшения обратного тока насыщения / о Вторым по важности контролируемым параметром является удельное сопротивление. [51]
Благодаря наличию переходного слоя на границе слоев 2 и 3 электронно-дырочные пары, генерированные в слое 3, беспрепятственно разделяются р-и-переходом. В такой структуре существенно увеличена ширина запрещенной зоны в области объемного заряда р-п-перехода и на несколько порядков снижена рекомбинационная составляющая обратного тока насыщения, что позволило [94] при прямой солнечной засветке ( ix 3 3 10 - 3 А / см2) реализовать чисто инжекционный механизм протекания тока. [52]
При данных величинах 0П и 0 ( проводимостей п - и р-областей перехода) величина / 8 определяется в основном величиной 0, где 0 - собственная проводимость вещества. Таким образом, мы видим, что кремний, у которого oi в 5000 раз меньше, чем у германия, позволяет получить во много раз меньшие обратные токи насыщения. В то время как у германия на практике легко достигается теоретическое значение / 8, у кремния ток / 8 настолько мал, что величина тока в запорном направлении очень часто определяется токами по поверхности. [53]
Напряженность этого поля определяется разностью потенциалов, приложенной к элементу, потоком фотонов, длиной волны света и характером распределения доноров и акцепторов вблизи перехода в CdS. Обратный ток насыщения и напряжение холостого хода определяются особенностями процесса рекомбинации носителей на границе раздела. [55]
К счастью, сами р - n - переходы можно использовать в качестве индикаторов температуры, так как их характеристики сильно зависят от температуры. В случае германиевых приборов в целях обнаружения изменений температуры обычно пользуются обратными вольтамперными характеристиками. Но, поскольку обратные токи насыщения кремниевого р - - перехода в большей части интересующего нас интервала температур исключительно малы, здесь обычно преобладают токи утечки по поверхности, которые непредсказуемым образом меняются с температурой. На прямую ветвь характеристики эти токи утечки влияют намного слабее, благодаря чему она служит достаточно надежным индикатором, который мало меняется от прибора к прибору того же самого типа. При наличии же предварительной градуировки обычно можно провести очень точные измерения. [56]
 |
Статическая вольт-амперная характеристика идеализированного плоскостного диода. [57] |
Ток / 0, определяющий масштаб характеристики, называется тепловым током. Термин тепловой отражает сильную температурную зависимость тока / 0, а также тот факт, что он равен нулю при абсолютном нуле температуры. Другим распространенным термином является обратный ток насыщения, происхождение которого связано с тем, что при отрицательном напряжении U фг обратный ток идеализированного диода равен - / и не зависит от напряжения. [58]
Си, а протекание тока обусловливается в основном рекомбинационными процессами. При низких концентрациях носителей преобладающим механизмом протекания тока в освещенных элементах является туннелирование носителей при участии рекомбинационных центров. Подтверждением этих результатов служит уменьшение обратного тока насыщения и возрастание значений параметра а ( 1 / nkT) при увеличении концентрации носителей. [59]
Страницы: 1 2 3 4