Обратный ток - насыщение
Cтраница 3
В первой главе было показано, что фактор заполнения нагрузочной характеристики увеличивается с уменьшением фактора идеальности ВАХ и обратного тока насыщения и с увеличением степени концентрирования солнечного излучения. [32]
 |
Схема включения фотодиода.| Характеристики фотодиода. [33] |
При полном затемнении ( Ф 0) через фотодиод протекает темновой ток, который равен сумме тока утечки и обратного тока насыщения р - - перехода. С ростом светового потока ток фотодиода увеличивается. В рабочей области вольт-амперных характеристик ток фотодиода практически полностью не зависит от приложенного-напряжения, что является характерной особенностью рабочей области вольт-амперных характеристик. Такой режим наступает при обратных напряжениях на диоде порядка 1 В. [34]
Прямая темновая вольт-амперная характеристика описывается уравнением Шокли, причем у элементов площадью 0 08 см2 диодный коэффициент равен 1 6, а обратный ток насыщения - 2 - 10 - п А. При таком уровне освещенности напряжение холостого хода элементов, равное 0 32В, не зависит от интенсивности света Я, тогда как ток короткого замыкания меняется по линейному закону при вариациях Я. [35]
В качестве опорной была выбрана точка 20 5, так как, помимо расчетных удобств, при значениях z 0 5 влияние обратного тока насыщения не сказывается яа величине мощности. [36]
Коэффициенты диффузии для неосновных электронов и дырок соответственно равны 100 и 50 см2 / с, диффузионная длина LnLp0 8 см. Определить: а) контактную разность потенциалов срк; б) плотность обратного тока насыщения / о при Т300 К. [37]
Изготовленные этим методом мезадиоды обладают хорошими электрическими свойствами: при толщине слоя 6 6 мк напряжение обратного пробоя у 90 % диодов превышает 120 в и у 53 % - 150 в, а величина обратных токов насыщения мала. [38]
Видно, что ур-ние (7.77) исключительно удобно для выбора аБ и а Полезно отметить, что выражение для / К0 в том виде, как оно приведено в ф-ле (7.73), имеет почти такой же вид, что и в случае обратного тока насыщения обычного р-п диода. [39]
 |
Схема включения ( а и схематическое представление конструкции ( б триода для определения коллекторного тока iK о н. [40] |
Очевидно, что управление выходным током триода в таком режиме возможно лишь до тех пор, пока эмиттер не перестанет быть инжектором дырок и ток в цепи коллектора не уменьшится до тока / коб - В этот момент оба перехода триода включены в обратном направлении и в цепи базы течет ток, равный сумме обратных токов насыщения коллекторного и эмиттерного переходов. [41]
Ранее полученное уравнение (2.11) сохраняет силу и для обратного тока, если время жизни носителей тп заменить на гпо. В данной модели обратный ток насыщения не зависит от напряжения смещения Vr до тех пор, пока вследствие лавинного разряда при больших Vr не произойдет пробоя перехода. [42]
Резкий кремниевый p - n - переход сформирован из материала р-типа с удельным сопротивлением рр - 1ЗХ Х10 - 3 Ом - м и материала / г-типа с удельным сопротивлением р 4 6 - 10 - 3 Ом - м при Г300 К. Чему будет равен обратный ток насыщения, если в таком же р-л-переходе создать р - и л-области длиной 50 мкм каждая. [43]
 |
Статическая вольт-амперная характеристика идеализированного плоскостного диода. [44] |
Термин тепловой отражает сильную температурную зависимость тока / 0, а также тот факт, что он равен нулю при абсолютном нуле температуры. Другим распространенным термином является обратный ток насыщения, происхождение которого связано с тем, что при отрицательном напряжении I U I pr обратный ток идеализированного диода равен - / 0 и не зависит от напряжения. [45]
Страницы: 1 2 3 4