Обратный ток - переход
Cтраница 1
 |
Конструкция диода ( а, ВАХ теплового ( б и лавинно-тепло-вого ( в проб-оя. [1] |
Обратный ток р-п перехода характеризуется сильной зависимостью от температуры. [2]
Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов, находящихся при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / КБО определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [3]
При измерении обратных токов переходов транзисторов следует всегда подключать к схеме базовый вывод первым и отключать его в в последнюю очередь. При отключении транзисторов от схемы сначала выключается коллекторная цепь. [4]
В каком смысле обратный ток р-п перехода называют током насыщения. [5]
При туннельном пробое обратный ток р-п перехода резко возрастает за счет туннельного просачивания электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости - области полупроводника в той области р-п перехода, где имеется сильное электрическое поле. В этом проявляются волновые свойства электрона. Если длина волны электрона сравнима с толщиной ОПЗ, то существует конечная вероятность туннелирования электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости л-области. Возрастание туннельного тока в области пробоя происходит при критической напряженности электрического поля Екр. [6]
 |
Канальный транзистор. [7] |
Ток ii равен обратному току перехода. При Ui Ui переход отпирается. Инжекция носителей уменьшает сопротивление участка /, что снижает падение напряжения на нем и приводит к еще большему увеличению тока. [8]
Какие факторы влияют на обратный ток р-п перехода. [9]
Статические параметры модели - тепловые обратные токи переходов и коэффициенты передачи тока связаны между собой двумя соотношениями: a. Таким образом, из семи перечисленных параметров независимыми являются пять. [10]
 |
Осциллограмма вольт-амперной характеристики четырех-слойного диода. [11] |
При повышении приложенного напряжения обратный ток р-п перехода Xz увеличивается аналогично, как у стабилитрона. Вследствие этого протекает больший ток через р-п переходы Xi и Хз, что приводит также к увеличению потока неосновных носителей заряда через р-п переход Хг. Следствием этого является то, что ток при напряжении выше так называемого напряжения переключения t / пер лавинообразно возрастает, например, как при пробое изолятора или при зажигании лампы тлеющего ( разряда. Получающийся при этом ток нужно ограничивать по величине и длительности протекания, в противном случае диод может быть поврежден. [12]
При увеличении концентрации основных носителей обратный ток р-п перехода уменьшается. [13]
Известно также, что на величину обратного тока перехода и величину коэффициента усиления транзистора сильно влияет скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда. [14]
U - Ток эмиттера 1Э равен обратному току перехода / эо. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5