Обратный ток - переход
Cтраница 2
При Ф 0 фототек суммируется с обратным током р-п перехода. Эту часть характеристик называют характеристиками фотодиодного включения облученного р-п перехода. Характеристики в четвертом квадранте являются характеристиками полупроводникового фотоэлемента. [16]
При высоких рабочих температурах может сказываться влияние обратного тока стокового перехода / со, который увеличивается с ростом температуры, суммируясь с током канала. [17]
Возможно также изменение номинала сопротивления вследствие изменений обратных токов изолирующих переходов, особенно при колебаниях температуры. [18]
 |
Вольтамперные характеристики электронно-дырочных переходов. [19] |
Таким образом, при наличии канала поверхностной электропроводности обратный ток перехода не имеет участка насыщения. [20]
В 0 - f 1) раз превосходит обратный ток одиночного перехода. [21]
 |
Распределения величин. [22] |
Эти результаты качественно объясняют наблюдаемые экспериментально распределения величин обратного тока переходов диодов и транзисторов. Обычно эти распределения близки к логарифмически нормальным. Однако при большой средней величине обратного тока ( например, плохих партиях приборов) распределения более симметричны и приближаются к нормальным. [23]
Аналогично образуется и начальный ток эмиттера / ЭБК-Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так, обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / Кво определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [24]
Аналогично образуется и начальный ток эмиттера / ЭБК-Под обратными токами переходов транзистора понимают значения токов через какой-либо из переходов при обратном напряжении, в то время как ток в одном из двух оставшихся свободными выводов равен нулю. Так обратный ток коллектора транзистора в схеме с общей базой / КБО определяется при токе эмиттера, равном нулю, а обратный ток эмиттера для той же схемы / ЭБО - при токе коллектора, равном нулю. [25]
 |
Зависимость S тока коллектора. [26] |
Кроме того, при малых токах, особенно сравнимых с неуправляемыми обратными токами переходов, крутизна характеристики коллекторного тока сильно изменяется при изменении температуры и напряжения питания, что приводит к изменению уровня напряжения высокой частоты состава гармоник и частоты генератора. [27]
 |
Схема транзисторного блока строчной развертки. [28] |
Транзистор выходного каскада строчной развертки проводит ток в обратном направлении ( обратный ток перехода коллектор-база у транзисторов), поэтому его переход коллектор - база может использоваться как демпфирующий диод. В тех случаях, когда требования к линейности развертки по горизонтали высокие, в выходном каскаде используется специальный демпфирующий диод. [29]
 |
Эквивалентная схема МДП транзистора для малых переменных составляющих. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5