Обратный ток - переход
Cтраница 3
Следует иметь в виду, что входное сопротивление по подложке определяется обратными токами р-п переходов и, следовательно, несравненно меньше входного сопротивления по затвору. [31]
 |
Инверсный каскад на одном триоде. схема и напряжения на выходе. [32] |
ПП приборов, создают каналы поверхностной проводимости, увеличивают барьерные емкости и обратные токи переходов; в транзисторах, электронно-дырочные переходы к-рых получены в процессе выращивания монокристаллов по Чохральскому, возможно закорачивание эмиттера с коллектором. [33]
В качестве термочувствительных параметров используются в первую очередь такие параметры, как обратные токи переходов, прямые падения напряжений на переходах, коэффициент передачи по току. [34]
Обратный ток кремниевых переходов, будучи преимущественно генерационным, в отличие от обратного тока идеального перехода не насыщается с ростом обратного напряжения. Так как толщина слоя объемного заряда перехода растет с ростом обратного напряжения, возрастает и генерационный ток обратносмещенного кремниевого перехода. [35]
 |
Рентгенограмма кристалла с переходами. [36] |
Если к переходу приложено обратное смещение, то фото-ток является добавкой к обратному току перехода. Для того чтобы выделить фототок из общего тока перехода, применяют способ модуляции света, прерьсвание его луча с некоторой частотой. Фототок измеряется тогда с помощью селективного усилителя, настроенного на частоту модуляции. [37]
Ток утечки затвора может достигать 1СМ а, в то время как собственно обратный ток перехода, зависящий от температуры, не превышает обычно 10 - а при 20 С, а его дрейф - 10 - 8 а при температуре до 50 - 60 С. [38]
Зависимость параметров тиристора от температуры обусловлена, главным образом, влиянием температуры на обратные токи переходов и коэффициенты передачи составляющих транзисторов. [39]
 |
Структура р-я перехода в отсутствие ( а и при наличии ( б и в поверхностного канала. Базовая граница перехода показана точками. [40] |
С ростом обратного напряжения растет рабочая длина канала, а значит, и обратный ток приповерхностного перехода. Анализ показывает [15], что функция / кан ( Uo6p) логарифмическая, т е, не очень сильная. [41]
 |
Схема, поясняющая действие интегрального перемножителя с переменной крутизной характеристики. [42] |
ОБ); kK 0 98 0 99 1; / КБО - обратный ток р-п перехода, КБО Абр; f г - температурный потенциал. [43]
Фн приводит к появлению избыточной концентрации носителей заряда в объеме полупроводника, росту обратных токов перехода, а также напряжения t / кэнас. [44]
Имеется в виду обратный пробой, имеющий место в кремниевых р-п-переходах, при котором обратный ток перехода резко возрастает при почти неизменном напряжении на переходе. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5