Обратный ток - переход
Cтраница 4
В униполярном полевом транзисторе, который обычно работает при обратном смещении на затворе, обратный ток перехода имеет величину порядка 10 - 8 - 10 - 10 А, и поэтому его влиянием на шумовые свойства транзистора можно пренебречь. [46]
Для полупроводниковых приборов вследствие уменьшения коэффициента передачи тока в транзистор а к и возрастания обратного тока перехода, что вызывается главным образом изменением состояния поверхности кристалла. Попадание влаги или кислорода на поверхность кристалла приводит к образованию проводящих каналов на поверхности полупроводника, что и вызывает увеличение обратного тока перехода и уменьшение коэффициента а транзистора. [47]
Меняя настроечным отитом силу нажатия контактной иглы вывода на Кристалл, оператор добивается значения обратного тока р-п перехода, образованного соприкосновением иглы и полупроводникового кристалла, не более заданного. Блок электроформовки вырабатывает однократный униполярный ( однополярный) импульс тока. После окончания импульса электроформовки устанавливают переключатель в положение Контроль настройки, дают диоду остыть до стабилизации значения обратного тока и проверяют прямое падение напряжения при заданном техническими условиями значении прямого тока. Затем измеряют обратный ток при заданном обратном напряжении. Измерения производят в динамическом режиме. [48]
В действительности постоянная времени будет несколько меньшей в связи с тем, что на заряд конденсатора влияют обратные токи переходов закрытых транзисторов. [49]
Различают параметры постоянного тока, характеризующие величину неуправляемых ( обратных) токов через транзистор ( связанных с обратными токами переходов), и малосигнальные параметры, характеризующие работу транзисторов в схемах усилителей. [50]
Различают параметры постоянного тока, характеризующие величину неуправляемых ( обратных) токов через транзистор ( связанных с обратными токами переходов); малосигнальные параметры, характеризующие работу транзисторов в схемах усилителей; параметры большого сигнала; параметры предельных режимов. [51]
В полевых транзисторах, в которых модуляция ширины канала осуществляется пространственным зарядом р-я-переходов, величина входного сопротивления определяется обратными токами переходов. [52]
Попадание влаги или кислорода на поверхность кристалла приводит к образованию проводящих каналов на поверхности полупроводника, что и вызывает увеличение обратного тока перехода и уменьшение коэффициента а транзистора. [53]
Ток затвора полевых транзисторов ничтожно мал ( от сотых долей до нескольких десятков наноампер), так как он является обратным током р-п перехода. [54]
 |
Зависимость параметров транзистора Til4 от малых токов эмиттера. [55] |
Анализируя ф-лы (6.1) и (6.2), можно установить, что для работы в экономичном режиме пригодны транзисторы, имеющие малые значения обратных токов переходов. [56]
 |
Входная характеристика транзистора, работающего в области отсечки.| Передаточная характеристика транзистора, работающего в области отсечки. [57] |
Из представленных вольт-амперных характеристик видно, что в установившемся режиме транзистор достаточно полно характеризуется коэффициентами передачи токов, средними значениями тепловых токов, обратными токами переходов и объемными сопротивлениями. [58]
 |
Туннельный диод. [59] |
Поэтому при самых малых отрицательных напряжениях неосновные носители зарядов попадают в поМе перехода и вызывают там лавинное размножение носителей зарядов, которые ускоряются полем барьера и вызывают резкое увеличение обратного тока перехода. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5