Больший прямой ток

Cтраница 1

Эквивалентная схема полупроводникового диода для средних частот.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для диапазона СВЧ. [1]

Особенно большие прямые токи могут проходить через диоды во время переходных процессов при подаче и снятии питания в силовых устройствах и импульсных схемах. Перегрузочная способность диодов в таких режимах гарантируется предельной величиной импульса прямого тока или амплитуды прямого тока при переходных процессах при оговариваемой длительности импульса. [2]

Особенно большие прямые токи могут протекать через диоды во время переходных процессов при подаче и снятии питания в силовых устройствах и Импульсных схемах. Перегрузочная способность диодов в таких режимах гарантируется максимальным значением импульса ( или амплитуды) прямого тока в переходных процессах при оговариваемой длительности импульса. [3]

Протекание больших прямых токов по р-п переходу сопровождается выделением значительного количества теплоты. С - для кремния) применяется искусственное воздушное или жидкостное охлаждение. Если, например, диод без охлаждения рассчитан на ток 200 А, то с охлаждением он пропускает 300 - 400 А. Воздушное охлаждение осуществляется за счет передачи теплоты от р-п перехода через детали диода радиатору. Охладительные радиаторы с большой теплоизлучательной площадью изготовляют из металлов с хорошей теплопроводностью. При необходимости применяется принудительная вентиляция или циркуляция жидкости, усиливающая отбор теплоты от радиатора. Жидкостное охлаждение считается более эффективным, чем воздушное, но оно создает неудобства в эксплуатации. [4]

Зависимость напряжения пробоя полупроводникового диода от величины поверхностного заряда, создающего обогащенные слои.| Влияние состояния поверхности на обратные токи полупроводникового диода. [5]

При больших прямых токах в базе полупроводникового диода появляется электрическое поле, изменяются концентрация как неосновных, так и основных носителей заряда, время жизни носителей заряда, а также условия на выпрямляющих и на невыпрямляющих контактах. [6]

Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [7]

При больших прямых токах в базе полупроводникового диода изменяется концентрация как неосновных, так и основных носителей заряда, появляется электрическое поле, изменяются электрофизические параметры материала базы ( время жизни, подвижность или коэффициент диффузии, удельное сопротивление), изменяются условия как на выпрямляющем, так и на невыпрямляющем контактах. При больших токах необходимо также учитывать сопротивление базы диода. [8]

В области больших прямых токов вследствие значительного падения напряжения на распределенном сопротивлении базы диода и со - i противлении электродов напряжение на электронно-дырочном переходе будет меньше напряжения U, приложенного к диоду, в результате чего реальная характеристика оказывается расположенной ниже теоретической и почти линейной. [9]

Влияние температуры на вольт-амперную характеристику германиевого диода типа ГД102.| Влияние температуры на вольт-амперную характеристику кремниевого диода типа КД205. [10]

Но при больших прямых токах основную роль начинает играть электропроводность полупроводниковых кристаллов ( прежде всего электропроводность базы), которая в интервале рабочих температур уменьшается с увеличением температуры ( см. рис. 1.9, кривая /), что приводит к снижению прямого тока. [11]

Однако при больших прямых токах такой р-п переход сам начинает работать, инжектируя неосновные носители заряда ( дырки) в n - область диода. Это приводит к накоплению большого избыточного заряда дырок, что совместно с дополнительной емкостью охранного р-п перехода ухудшает быстродействие ДШ. [12]

Однако при достаточно больших прямых токах выражение вольт-амперной характеристики реальных р-п переходов снова усложняется из-за возрастающего влияния омического падения напряжения в толще полупроводника и других эффектов, проявляющихся при высоких плотностях тока ( см. стр. [13]

Прямая ветвь волы - КООРДИНАТАХ. [14]

Наконец, при очень больших прямых токах вольт-амперная характеристика диода становится неэкспоненциальнсй из-за нарушения условий на электронно-дырочном переходе и на невыпрямляющем контакте. [15]

Страницы: 1 2 3 4