Больший прямой ток
Cтраница 2
 |
Прямая ветвь ВАХ диода. [16] |
Наконец, при очень больших прямых токах ВАХ диода становится неэкспоненциальной из-за нарушения условий на р-и-переходе и на омическом переходе. [17]
 |
Прямая ветвь ВАХ диода. [18] |
Наконец, при очень больших прямых токах ВАХ диода становится неэкспоненциальной из-за нарушения условий на p - n - переходе и на омическом переходе. [19]
А эта зависимость при больших прямых токах нарушается. [20]
Не рекомендуются мощные диоды с большим прямым током ставить в маломощные выпрямители. [21]
Из (7.19) следует, что при больших прямых токах / G обратный ток р-п-р-п структуры резко возрастает. При высоких значениях обратного напряжения на структуре это приводит к увеличению мощности потерь. Поэтому значения прямого тока ( напряжения) управляющего электрода при смещении силовых тиристоров в обратном направлении всегда ограничиваются определенным допустимым значением. [22]
 |
Осциллограммы токов и напряжений ДЛЯ импульсных ДИОДОВ. [23] |
Эффект накопления проявляется тем сильнее, чем больший прямой ток протекает через диод перед переключением. Чем выше значение прямого тока, тем большая концентрация неосновных носителей создается в базе диода и тем больше время восстановления. При подаче на диод прямого напряжения ток устанавливается не сразу, так как с течением времени происходит накопление инжектированных неосновных носителей и снижение сопротивления базы. Однако этот процесс протекает быстро и не имеет практически столь большого значения, как переходные процессы при восстановлении обратного тока. [24]
Время рассасывания оказалось ничтожно малым даже при больших прямых токах базы, дающих высокую степень насыщения. Время спада в активной области зависит от величины прямого тока базы непосредственно перед выключением. [25]
Прежде чем рассматривать явления в полупроводниковых диодах при больших прямых токах, установим понятия об уровне инжекции. [26]
Падение напряжения в объеме полупроводника между р-п-переходом и выводами при больших прямых токах уменьшает крутизну прямой ветви в. При достаточно большом прямом токе концентрация инжектируемых в более высокоомную область полупроводника носителей заряда может оказаться соизмеримой с концентрацией основных носителей в ней и даже существенно превысить ее. Это и приводит к появлению в полупроводнике электрического поля, изменяющего закономерности перемещения носителей заряда. [27]
Во-вторых, сопротивление объема полупроводникового кристалла яе равно нулю, и при больших прямых токах им нельзя пренебрегать. Так как в реальных диодах используются несимметричные р-п-пере-ходы, в которых сопротивление эмиттера г3 значительно меньше сопротивления базы Го, учитывают только сопротивление базы, которое оказывает влияние на прямую ветвь вольт-амперной характеристики диода. [28]
Во-вторых, сопротивление объема полупроводникового кристалла не равно нулю, и при больших прямых токах им нельзя пренебрегать. Так как в реальных диодах используются несимметричные р - - переходы, в которых сопротивление эмиттера гэ значительно меньше сопротивления базы гв, учитывают только сопротивление базы, которое оказывает влияние на прямую ветвь В АХ диода. [29]
Диод Дх может быть германиевым любого типа из серий Д2 или Д9 с возможно большим прямым током. [30]
Страницы: 1 2 3 4