Больший прямой ток

Cтраница 3

Таким образом, подача положительного тока управления на обратносмещенный тиристор нежелательна: при больших прямых токах / у обратный ток тиристора резко возрастает, что при высоких обратных напряжениях приводит к увеличению мощности потерь. [31]

Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с тонкой базой. [32]

Большое количество факторов, которые следует принимать во внимание при расчете ВАХ диода при больших прямых токах, приводит к тому, что в общем виде решить эту задачу не удается. В связи с этим для выполнения аналитического расчета целесообразно выбрать такую структуру модели полупроводникового диода, которая позволила бы выполнить расчет и в то же время по возможности больше соответствовала бы реальной структуре диода. [33]

Распределение концентрации неосновных носителей в база диода с тонкой базой. [34]

Большое количество факторов, которые следует принимать во внимание при расчете вольт-амперной характеристики диода при больших прямых токах, приводит к тому, что в общем виде решить эту задачу не удается. [35]

При работе перехода в прямом направлении диффузионная емкость обычно преобладает над зарядной ( особенно при больших прямых токах и не слишком малом времени жизни) и зарядной емкостью можно пренебречь. [36]

Задаваясь величиной прямого тока /, определяют зависимость Uп макс от / пр, обусловленную нагреванием электронно-дырочных переходов большим прямым током. [37]

Для диодных сборок и матриц 1 / пр указываются для двух значений тока Г и / - р, соответствующих областям малых и больших прямых токов на ВАХ. [38]

Если требуется получить более высокие значения обратных напряжений, чем это допускается одним вентилем, то вентили соединяются последовательно, при необходимости иметь большие прямые токи - параллельно. [39]

Однако при прямых смещениях на переходе ( t / J0) диффузионная емкость начинает играть существенную роль и в ряде случаев ( при больших прямых токах) существенно превосходит зарядную емкость. Диффузионная емкость появляется за счет того, что заряд подвижных носителей, запасенный в полупроводнике вне области обедненного слоя, зависит от напряжения, приложенного к переходу. [40]

Умеренное окисление поверхности германия, например, за счет травления в смеси, состоящей из 1 части 45 % - ной плавиковой кислоты ( HF), 1 части 30 % - ной перекиси водорода ( Н2О2) и 4 частей деионизированной воды ( Н2О), позволяет получать малые токи насыщения и большие прямые токи. [41]

У реального диода последовательно с р-п переходом имеется сопротивление базы гб. При больших прямых токах падение напряжения на сопротивлении базы соизмеримо с падением на переходе. [42]

При малых прямых токах, когда почти все внешнее напряжение приложено к р-п-пере-ходу, температурный коэффициент тока положителен. При больших прямых токах основную роль играет сопротивление кристалла диода. Поэтому при больших прямых токах с увеличением температуры падение напряжения на диоде возрастает. Нижний предел рабочей температуры германиевых диодов ( - 60 С) обусловлен хрупкостью индия. [43]

Конструкция мощного германиевого диода ВГВ-1000. [44]

При прямых малых токах, когда почти все внешнее напряжение приложено к р-п-пере-ходу, температурный коэффициент тока положителен. При больших прямых токах основную роль может играть сопротивление кристалла диода. В рабочем интервале температур с ростом температуры подвижность электронов и дырок убывает. [45]

Страницы: 1 2 3 4