Больший прямой ток

Cтраница 4

В области малых токов реальная и теоретическая характеристики совпадают. Но при больших прямых токах, а также при высоких обратных напряжениях характеристики расходятся, что является следствием ряда причин, не учтенных при теоретическом анализе процессов в электронно-дырочном переходе. [46]

При больших для данного диода прямых токах прямое падение напряжения может зависеть от сопротивления базы, которое увеличивается с увеличением температуры из-за уменьшения подвижности носителей заряда. Поэтому при больших прямых токах прямое падение напряжения на диоде может возрастать. [47]

С увеличением температуры прямой ток диода возрастает, так как при этом увеличивается число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Но при больших прямых токах основную роль начинает играть проводимость полупроводника кристалла ( проводимость базы), которая в интервале обычных рабочих температур уменьшается с увеличением температуры ( см. рис. 1 - 11 6, кривая 2), что приводит к снижению прямого тока при фиксированном значении U. Поэтому характеристики прямой ветви для различных температур пересекаются в некоторой точке. Однако эта точка у большинства диодов лежит далеко за пределами возможных прямых напряжений и токов. [48]

При проектировании и эксплуатации аппаратуры с использованием тиристоров следует учитывать, что включение прибора током управления меньше минимально допустимого ( током помехи) может стать причиной выхода его из строя из-за прохождения тока в узкой локальной зоне структуры тиристора. Для тиристоров с большим прямым током и высокой скоростью его нарастания даже однократное включение током помехи может привести к полному отказу тиристора. [49]

Перспективным является использование для выпрямительных диодов гетеропереходов. В гомопереходах при больших прямых токах происходит значительное выделение тепла, обусловленное потерями на омическом сопротивлении базы и безызлучательной рекомбинацией инжектированных носителей в базе диода. Если для выпрямительного диода использовать р - i-я-структуру, в которой р - и л-области изготовлены из широкозонных полупроводников, а ( - область из узкозонного, то при включении в прямом направлении происходит инжекция электронов и дырок в г - слой. [50]

В этом случае основную роль играет барьерная емкость перехода Сб. Наоборот, при больших прямых токах емкость перехода определяется величиной диффузионной емкости Сдиф, которая значительно превышает барьерную. [51]

Работа идеализированного мощного выпрямителя показана на фиг. Такой прибор должен пропускать большие прямые токи без падения напряжения и не проводить ток в обратном направлении. Реальные полупроводниковые диоды имеют характеристики, подобные показанной на фиг. Здесь существует некоторое пороговое напряжение I / O, начиная с которого развивается значительный прямой ток, и последовательное ( прямое) сопротивление Rs. Ток, протекающий через прибор при подаче обратного напряжения, обусловлен объемной и поверхностной утечкой и обычно возрастает с увеличением обратного напряжения. При обратном напряжении Vb диод пробивается. Для эффективного выпрямителя напряжение V0, сопротивление Rs и обратные токи утечки должны быть минимальными, а Уь - возможно большим. [52]

Зависимость сопротивления гд и емкости СДИф от частоты сигнала, полученная на основании формул и. [53]

СДИф должна свестись к нулю. Полное сопротивление диода при больших прямых токах определяется главным образом сопротивлением базы гб. Следует указать, что это сопротивление не является чисто активным, а содержит также индуктивную составляющую, связанную с эффектом модуляции сопротивления базы. [54]

Показано, что формовка обратным током приводит к увеличению обратного напряжения и улучшению коэффициента выпрямления у образцов, а формовка прямым током - в ряде случаев к опрокидыванию ВАХ. Инвертированная ВАХ обладает высоким коэффициентом выпрямления, относительно большими прямыми токами. [55]

Структура диода ( а, изменение распределения плотности объемного заряда ( б, роля ( в и потенциала ( г в идеальном р-п-пе-реходе. [56]

Сопротивление базы определяется распределенным сопротивлением кристалла. За счет сопротивления базы вольтамперная характеристика при больших прямых токах переходит в прямую и о линию. Следует иметь в виду, что с увеличением прямого тока сопротивление базы уменьшается, так как база заполняется носителями. Этот эффект называют модуляцией проводимости базы. [57]

Это значит, что мы рассматриваем переход, электронная и дырочная области которого не являются заметно компенсированными, а температура такова, что электропроводность далека от собственной. Кроме того, мы не рассматриваем переход с большими прямыми токами. [58]

В результате применения переменного коллекторного пи-тан я и знакопеременного напряжения управляющего сигнала в цепи база-эмиттер схема приобретает свойство фазовой чувствительности. При отрицательных напряжениях на коллекторе по отношению к базе ( рис. 73) текут большие прямые токи коллектора. Для ограничения этих токов в цепь эмиттер-коллектор включают дибд. [59]

Страницы: 1 2 3 4