Толщина - канал
Cтраница 1
Толщина канала d, по к-рому ток может протекать между истоком и стоком, зависит от напряжения, приложенного к затвору. Тогда под затвором возникает обедненный слой ( см. р - п-переход), имеющий очень высокое сопротивление. В пределах обедненного слоя ток практически течь не может. Поэтому увеличение J73 соответствует сужению канала, по к-рому протекает ток между истоком и стоком. Меняя напряжение на затворе, можно управлять током в канале. [1]
Толщина канала очень мала ( 5 0 - 10 нм), поэтому падением напряжения в канале можно пренебречь. [2]
Толщина канала ( инверсного слоя) незначительная, дырки индукци-рованного канала сжаты в приповерхностном слое. Дырки, образующие канал, поступают в него не только из подложки, но также из слоев р-типа стока и истока. [3]
 |
Основные геометриче - ширины канала W к его ские параметры канала. длине L ( Х. 13. Уве. [4] |
Толщина канала ( обозначим ее для случая двусторонней модуляции сечения через 2а) должна выбираться достаточно малой. Однако с уменьшением толщины канала уменьшаются крутизна и максимальное значение тока. [5]
 |
Разрез структуры планарного полевого транзистора с управляющим р-га-переходом с каналом р-типа проводимости. [6] |
Толщина канала WK транзисторов обычно равна 1 - 3 мкм, длина LK - расстояние между диффузионными областями стока и истока - равна 3 - 10 мкм. [7]
Поскольку толщина канала значительно меньше его длины, то более эффективным способом изменения величины объемного заряда и, естественно, сопротивления канала является управление с помощью затвора полевого транзистора. Так как р-п-переход между каналом и затвором смещается в обратном направлении, то протекающий обратный ток ничтожно мал, и управление по затвору можно считать потенциальным, а не токовым, как у биполярного транзистора. [8]
Расчет толщины канала dK ( m / 2eEz) V2 дает при Ег ( 5 - 10) 105 в / см величину dK - 10 А. Это значит, что при понижении те мпературы и в области больших V3 носители в канале быстро переходят в двумерное состояние. [9]
В этих условиях толщина канала на всем протяжении одинакова. [10]
Чтобы крутизна транзистора была достаточно высокой, толщина канала должна быть минимальной. С другой стороны, разброс значений напряжения отсечки U о определяется разбросом толщины канала. Это налагает жесткие требования на точность диффузии при образовании области канала. [11]
Согласно выражению (4.13) для повышения S необходимо увеличивать толщину канала а. Однако с увеличением толщины канала недопустимо растет напряжение отсечки и напряжение насыщения, соответствующее входу полевого транзистора в режим насыщения. Так как режим насыщения является основным рабочим режимом полевого транзистора, напряжение отсечки должно быть малым. Поэтому толщину канала стараются всегда сделать небольшой, несмотря на некоторое уменьшение крутизны характеристики. [12]
Если представить себе, что электрическая проводимость по всей толщине канала усреднена ( металл и стенки канала перемешаны или размазаны по всей толщине эквивалентного зазора) и усредненная проводимость жидкого металла. [13]
Тепловой шум канала изменяет потенциал по его длине, модулирует толщину канала и обедненной области под затвором. Между токами шумов канала и затвора имеется корреляция. [14]
Согласно выражению (6.13) для повышения крутизны характеристики S необходимо увеличивать толщину канала а. Однако с увеличением толщины канала недопустимо растет напряжение отсечки и напряжение насыщения, соответствующее входу полевого транзистора в режим насыщения. Так как режим насыщения является основным рабочим режимом полевого транзистора, напряжение отсечки должно быть малым. Поэтому толщину канала стараются сделать небольшой, несмотря на некоторое уменьшение крутизны характеристики. [15]
Страницы: 1 2 3 4