Толщина - канал
Cтраница 3
При формировании каналов изделий из однотипных пластин, между пластинами поперек гофр устанавливаются специальные ленты-полосы, ограничивающие толщину канала. [31]
При повышении положительного напряжения стока 1 / си выходной ток / с возрастает, но при этом одновременно уменьшается толщина канала по всей его длине и увеличивается сопротивление канала. [32]
Зарастание каналов сказывается на поглощении мощности тем меньше и тем позже, чем больше поперечное сечение каналов, так как, если толщина канала заметно превосходит глубину проникновения, зарастание канала будет влиять только тогда, когда оставшаяся свободной толщина металла в канале будет близкой к глубине проникновения. [33]
В случае больших колебаний цапфы приходится учитывать нелинейные конвективные члены в уравнениях Навье-Стокса и, кроме того, граничные условия для скорости выражаются более сложно из-за изменения толщины канала со временем. Иногда следует также рассматривать инерционное сопротивление жидкости на входе в канал. [34]
На рис. 5.5 для различных напряжений стока показаны канал и расположенный под ним обедненный слой. Толщина канала для наглядности рисунка значительно увеличена по сравнению с толщиной обедненного слоя. [35]
Практически, как указывалось, длина канала / может составлять единицы микрометров, а его ширина - тысячи микрометров. Толщина канала ограничивается требуемой величиной напряжения отсечки. [36]
Транзисторы с изолированным затвором изготовляют планарным методом, при этом выбирают примерно следующие конструктивные данные: длину канала / 2 - f - 10 мкм, ширину канала ш100 - т - 5000мкм, толщину изолирующего слоя затвора 601 - г - 0 2 мкм. Толщина канала, определяемая глубиной проникновения поля в полупроводник, обычно равна 0 1 - 0 2 мкм. Толщина обедненного слоя составляет единицы микрометра. Заглубление - областей лежит в пределах 5 мкм. [37]
 |
Процесс заряда 2. [38] |
Такое предположение оправдано тем, что распределение потенциала Uж в канале близко к линейному. Соответственно толщина канала w ( x), согласно ( 5 - 25) и рис. 5 - 17 меняется слабо, за исключением области, прилежащей к стоку. [39]
Представление о нулевой толщине канала на участке перекрытия является идеализацией, позволяющей упростить расчет характеристик и параметров транзистора. В действительности толщина канала в нуль не обращается, так как электроны проходят участок AL с конечной дрейфовой скоростью, близкой к скорости насыщения. [40]
Здесь пунктирными линиями 1 обозначены границы проводящего канала при С / 3 ОиС / с О. В эти условиях толщина канала на всем его протяжении одинакова. [41]
Согласно выражению (4.13) для повышения S необходимо увеличивать толщину канала а. Однако с увеличением толщины канала недопустимо растет напряжение отсечки и напряжение насыщения, соответствующее входу полевого транзистора в режим насыщения. Так как режим насыщения является основным рабочим режимом полевого транзистора, напряжение отсечки должно быть малым. Поэтому толщину канала стараются всегда сделать небольшой, несмотря на некоторое уменьшение крутизны характеристики. [42]
Согласно выражению (6.13) для повышения крутизны характеристики S необходимо увеличивать толщину канала а. Однако с увеличением толщины канала недопустимо растет напряжение отсечки и напряжение насыщения, соответствующее входу полевого транзистора в режим насыщения. Так как режим насыщения является основным рабочим режимом полевого транзистора, напряжение отсечки должно быть малым. Поэтому толщину канала стараются сделать небольшой, несмотря на некоторое уменьшение крутизны характеристики. [43]
 |
Основные геометриче - ширины канала W к его ские параметры канала. длине L ( Х. 13. Уве. [44] |
Толщина канала ( обозначим ее для случая двусторонней модуляции сечения через 2а) должна выбираться достаточно малой. Однако с уменьшением толщины канала уменьшаются крутизна и максимальное значение тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4