Толщина - канал
Cтраница 2
Согласно выражению (6.13), для повышения крутизны характеристики S необходимо увеличивать толщину канала а. Однако с увеличением толщины канала недопустимо растет напряжение отсечки и напряжение насыщения, соответствующее входу полевого транзистора в режим насыщения. Так как режим насыщения является основным рабочим режимом полевого транзистора, напряжение отсечки должно быть малым. Поэтому толщину канала стараются сделать небольшой, несмотря на некоторое уменьшение крутизны характеристики. [16]
UK - контактная разность потенциалов в р - п-дереходе, Очевидно, толщина канала d h - W, где h - геом. [17]
 |
Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника под затвором при напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения. [18] |
Сублинейность крутых частей характеристик ( рис. 6.9, а) объясняется уменьшением толщины канала около стока при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе, так как на сток и на затвор подаются потенциалы одного знака относительно истока. Следовательно, разность потенциалов между стоком и затвором или между затвором и прилегающей к стоку частью канала уменьшается. Другими словами, из-за прохождения по каналу тока стока получается неэквипотенциальность канала по его длине. Поэтому при увеличении тока стока происходит уменьшение поперечного сечения канала около стока. [19]
При идентичных начальных параметрах струи и слоя характеристики распространения струй ( нарастание толщины канала, профили скорости и кривые падения осевой скорости) в горизонтальном и вертикальном направлениях псевдоожиженного слоя одинаковы. Эти особенности течения свидетельствуют о том, что газовый факел струи в псевдоожиженном слое развивается подобно струе в спутном потоке псевдожидкости, образуя в ней струйный канал, занятый разреженной суспензией. [20]
 |
Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника под затвором при напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения. [21] |
Сублинейность крутых частей характеристик ( рис. 6.9, а) объясняется уменьшением толщины канала около стока при увеличении напряжения на стоке и неизменном напряжении на затворе, так как на сток и на затвор подаются потенциалы одного знака относительно истока. Следовательно, разность потенциалов между стоком и затвором или между затвором и прилегающей к стоку частью канала уменьшается. Другими словами, из-за прохождения по каналу тока стока получается неэквипотенциальность канала по его длине. Поэтому при увеличении тока стока происходит уменьшение поперечного сечения канала около стока. [22]
При подаче обратного напряжения на затвор p - n - переход расширяется, толщина канала уменьшается, его сопротивление возрастает и ток становится меньше. Когда напряжение затвора достигает величины напряжения отсечки, канал полностью перекрывается и ток в выходной цепи падает до минимального значения, определяемого концентрацией неосновных носителей заряда. Эта составляющая выходного тока является неуправляемой, ее величина при нормальной температуре составляет единицы наноампер, а при повышенной температуре - единицы микроампер. [23]
Таким образом, исключая эффективные смещения, меньше 1 в, предположение о малости толщины канала по сравнению с длиной свободного пробега ( при решеточном рассеянии) действительно является удовлетворительным. [24]
 |
Зависимость потенциала от микропервеанса. а - в средней плоскости пучка, заполняющего проводящий канал. б - на границе пучка, не заполняющего проводящий канал. [25] |
Бели ленточный пучок не полностью заполняет проводящий канал уоУа, где 2г / а - толщина канала), то часть падения потенциала ложится на зазор между пучком и стенкой канала. [26]
При формировании каналов-изделий из однотипных пластин, между пластинами поперек гофр устанавливаются специальные лен-ты-полосы ограничивающие толщину канала. [27]
При формировании каналов-изделий из однотипных пластин, между пластинами поперек гофр устанавливаются специальные ленты-полосы, ограничивающие толщину канала. [29]
Страницы: 1 2 3 4