Толщина - канал
Cтраница 4
Согласно выражению (6.13), для повышения крутизны характеристики S необходимо увеличивать толщину канала а. Однако с увеличением толщины канала недопустимо растет напряжение отсечки и напряжение насыщения, соответствующее входу полевого транзистора в режим насыщения. Так как режим насыщения является основным рабочим режимом полевого транзистора, напряжение отсечки должно быть малым. Поэтому толщину канала стараются сделать небольшой, несмотря на некоторое уменьшение крутизны характеристики. [46]
При толстых каналах такой рельеф не оказывает практически никакого влияния на подвижность носителей в канале. Однако при больших V3 толщина канала резко уменьшается ( до 10 - 20 А) и столь мелкие нерегулярности рельефа начинают сильно влиять на процессы рассеяния. [47]
Зарастание каналов сказывается на поглощении мощ. В соответствии с этим толщину Ак каналов печей, плавящих алюминий, делают значительно большей глубины проникновения в алюминий; практически она бывает не меньше 8 - 10 см. Отрицательной стороной этого мероприятия является увеличение реактивной составляющей мощности ( см. рис. 3 - 9), что приводит к уменьшению cosp ( см. рис. 3 - 10), который в печах для плавки алюминия имеет величину порядка 0 3 - 0 4 и иногда даже ниже. [48]
 |
Структура рабочей части полевого транзистора. [49] |
При протекании через канал тока / с возникает падение напряжения по длине канала, которое изменяется по нелинейному закону. Это падение напряжения влияет на толщину канала, которая изменяется по длине канала. Следовательно, суммарная толщина канала определяется двумя факторами: падением напряжения и величиной напряжения затвора. Картина изменения толщины канала показана штриховыми линиями на рис. 7.8. Процесс прохождения тока через канал можно описать с помощью семейства статических характеристик. [50]
Очевидно, ток будет зависеть от геометрических размеров стержня, концентрации примесей, подвижности носителей. В реальных приборах используют зависимость либо толщины канала, либо концентрации примесей в канале от электрического поля. С целью управления выходным током в приборе введен дополнительный электрод - затвор. [51]
При определенном напряжении на стоке, называемом напряжением насыщения ( t / синас), плотность заряда электронов в канале у стока становится очень малой - происходит перекрытие канала. На рис. 5.5, в показано уменьшение толщины канала до нуля. [52]
Щокли в 1952 г., используется зависимость толщины канала - слоя полупроводника, заключенного между двумя р-п-переходами - от приложенного к переходам обратного напряжения. [53]
На рис. 3, б приведена схема линеаризации МДП транзистора. Из рис. 3, б видно, что уменьшение толщины канала у стокового конца компенсируется увеличением у истокового. [54]
Чтобы крутизна транзистора была достаточно высокой, толщина канала должна быть минимальной. С другой стороны, разброс значений напряжения отсечки U о определяется разбросом толщины канала. Это налагает жесткие требования на точность диффузии при образовании области канала. [55]
При этом р-п-переход, проникая на большую или меньшую глубину в канал, изменяет толщину канала 2z /, а следовательно, и его электрическую проводимость. На этом принципе и основано действие транзистора с р-и-затвором. [56]
Страницы: 1 2 3 4