Толщина - кристалл
Cтраница 1
 |
Принципиальная схема включения пр-счетчика. [1] |
Толщина кристалла равна 1 - 3 мм. Толщина запорного слоя не должна превышать длины свободного пробега дырок и составляет 0 2 - 0 3 мм. [2]
 |
Зависимость коэффициента поглощения раствора толуола в я-гептане от длины волны ( частоты. [3] |
Толщина кристаллов, необходимых для получения спектров поглощения толуола, составляет несколько микрон. [4]
Толщина кристалла выбирается в зависимости от вида и энергии излучения. [5]
Толщина кристалла I и углы i, i 2 могут, вообще говоря, меняться вдоль кристалла; с ними вместе будет меняться также и толщина слоев. [6]
Толщину кристалла можно найти приблизительно из почти кинематических кривых отражений [ см. (9.5) ] для слабых далеких пучков. Тогда значение толщины становится параметром в вычислениях и уточняется вместе со структурными амплитудами, до тех пор пока оно не будет определяться с точностью, возможно, 5А при толщине кристалла 1000 А. [7]
 |
Схема строения пластинчатого монокристалла полиэтилена.| Зависимость между равновесной толщиной кристалла L и температурой кристаллизации Ткр. [8] |
С толщина кристалла монотонно увеличивается от 9 до 15 нм ( рис. VI. Продольные размеры отдельных монокристаллов полимеров обычно не превышают десятков микрометров. [9]
 |
Координатная сетка и построение полюсной фигуры. Плоскость проекции параллельна плоскости прокатки. Ось поворота ( MN образца совпадает с направлением поперек про катки. [10] |
Если толщина кристаллов очень мала, возможен эффект двухмерной дифракции - появление непрерывных эллипсов. [11]
 |
Расположение жидкой пробы на сцинтилляционном счетчике. [12] |
Поэтому толщина кристалла выбирается без запаса - немного меньше длины пробега бета-частиц. [13]
Уменьшение толщины кристалла приводит к уменьшению величины ахх и вследствие этого к уменьшению т до промежуточных значений между величиной т для толстого слоя кристалла и ( т0ж) о - Например, при использовании возбуждения рентгеновскими лучами в объеме [ 711 были получены соответственно следующие значения т: 26, 21 и 15 нсек в случае кристалла толщиной 3 мм, крупнокристаллических образцов и порошка. Возбуждение в объеме дает более высокое значение т, чем возбуждение поверхностного слоя. Так, Хэнл и Янсен [71] получили значение т 26 нсек в случае возбуждения кристалла рентгеновскими лучами и т 15 5 нсек при возбуждении поверхностного слоя того же кристалла электронами с энергией 45 кэв. [14]
 |
Измерительное устройство автомата GPS фирмы Цензор. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5