Толщина - кристалл
Cтраница 3
Изменение профиля при увеличении толщины кристалла схематически показано на фиг. Очевидно, что он обязательно должен проходить через положение, в котором возникают дополнительные максимумы. [31]
Это позволяет значительно уменьшить толщину кристалла, не уменьшая угловую апертуру модулятора. [32]
В самом деле при толщине кристалла 1000 А при & да Ю-2 рад протяженность участка АА на верхней поверхности кристалла равна всего 2 ОА. [34]
ЭДС Холла обратно пропорциональна толщине кристалла полупроводника. [35]
Если длина цепи значительно больше толщины кристалла, рассмотренный выше случай встречается редко. Большинство участков цепей в граничных слоях закреплены своими концами на поверхности кристаллита. [36]
Вдоль линий, для которых толщина кристалла равна ( г 1 / 2), где г - целое число, интенсивность дифрагированного излучения максимальна, и поэтому на изображении наблюдаются темные линии. Контуры такого типа мало смещаются при изменении наклона образца по отношению к падающему пучку. [37]
Было также установлено, что толщина кристаллов линейного полиэтилена в виде плоских пластинок, выращенных из разбавленных растворов при температуре около 80 С, составляет величину порядка 100 А. Кроме того, при кристаллизации в идентичных условиях образуются различные ( хотя и в чем-то сходные) морфологические структуры. На рис. II 1.8 представлена наиболее типичная морфологическая форма кристаллизации при сравнительно низких ( 70 - 80 С) температурах, представляющая собой полую пирамиду. [38]
На рис. 6.9 приведена зависимость толщины кристалла от времени, например, для льда. [39]
В генераторах Ганна, имеющих толщину кристалла с высоким удельным сопротивлением более 200 мкм и работающих в пролетном режиме, колебания получаются, как правило, некогерентными. Это вызвано наличием в каждом из кристаллов нескольких дефектов, на которых могут зарождаться домены. Путь, пробегаемый доменом от места его зарождения до анода, определяет период колебаний. Применение приборов с междолинным переходом электронов практически оправдано в диапазоне частот более 1 ГГц, что соответствует толщине высокоомного полупроводника / 100 мкм. [40]
 |
Зависимость тока, проходящего через генератор Ганна, от времени. [41] |
В генераторах Ганна, имеющих толщину кристалла между электродами более 200 мкм, колебания, как правило, некогерентны. [42]
 |
Зависимость тока, тока через кристалл будет сохра. [43] |
В генераторах Ганна, имеющих толщину кристалла между электродами более 200 мкм, колебания, как правило, некогерентны. Это связано с наличием в каждом из кристаллов нескольких дефектов, на которых могут зарождаться домены. Путь, пробегаемый доменом от места его зарождения до анода, определяет период колебаний. Применение генераторов Ганна практически оправдано в диапазоне частот более 1 ГГц, что соответствует толщине кристаллов полупроводника между электродами / 100 мкм. [44]
В генераторах Ганна, имеющих толщину кристалла с высоким удельным сопротивлением более 200 мкм и работающих в пролетном режиме, колебания получаются, как правило, некогерентными. Это вызвано наличием в каждом из кристаллов нескольких дефектов, на которых могут зарождаться домены. Путь, пробегаемый доменом от места его зарождения до анода, определяет период колебаний. Применение приборов с междолинным переходом электронов практически оправдано в диапазоне частот более 1 ГГц, что соответствует толщине высокоомного полупроводника / 100 мкм. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5