Толщина - кристалл
Cтраница 4
Определим зависимость амплитуды дифрагированных лучей от толщины кристалла, рассматривая, как и раньше, рассеяние электронов кристаллом как простое оптическое явление - интерференцию лучей, отраженных от параллельных атомных плоскостей одного семейства, но с учетом изменения амплитуды луча, падающего на каждую отдельную атомную плоскость. На рис. 21.8 представлена схема, не реализующаяся в дифракции быстрых электронов, но более удобная для анализа. В отличие от схемы рис. 21.7 здесь отражающие плоскости расположены параллельно поверхности кристалла. [46]
Интенсивности дифрагированных пучков в виде функций толщины кристалла даются вычислением Чг Чгл после каждого слоя. [47]
Так как ахх возрастает при увеличении толщины кристалла и при повышении температуры, то и ftxy зависит от этих параметров. [48]
Итак, время переключения прямо пропорционально толщине кристалла и обратно пропорционально приложенному полю, при достаточно больших полях. [49]
Прямая пропорциональность полной интенсивности боковых пятен толщине кристалла указывает на то, что излучение в этих направлениях испускается со всей длины пути частицы внутри кристалла. В однородной аморфной среде излучение Вавилова-Черепкова не возникает в области рентгеновских частот, где Re [ s ( со) ] 1, однако периодическая структура кристалла приводит к возникновению в определенных брэггов-ских направлениях рентгеновского излучения, которое также называют квазичеренковским ( аналогичное излучение в периодической слоистой среде возможно и в других областях частот, и. [50]
При малых значениях величины А, пропорциональной толщине кристалла t, наблюдается монотонное возрастание интегрального отражения, что находится в согласии с кинематической теорией. [51]
Эксперимент показывает, что Ес зависит от толщины кристалла. Объяснение этому явлению находится в рамках представлений о наличии на поверхностях кристаллов некоторых слоев. По одним представлениям, эти слои заряжены, по другим - имеют более низкую диэлектрическую проницаемость и пр. В кислрродно-октаэдрических сегнетоэлектри-ках слои связаны с дефектами структуры по кислороду. [52]
 |
Зависимость толщины ламелей d ( a и температуры растворения tp ( б от температуры кристаллизации tK в различных растворителях. [53] |
С помощью рентгенографии под малыми углами определены толщины кристаллов ( ламелей) пентапласта, выпадающих из растворов в различных растворителях. Из рис. 21 видно, что толщины ламе-лей ( большие периоды) сильно зависят от природы растворителя и температуры кристаллизации. [54]
ИК-источник находится на больших по сравнению с толщиной кристалла расстояниях х1т L. При этом остались в стороне все вопросы, связанные с аберрациями, а также с обобщением формул на случаи произвольного расположения источников накачки и ИК-излучения и строгое обоснование полученных результатов. [55]
Если необходимо получить колебания более высокой частоты, толщина кристалла становится слишком малой. В этом случае используют несколько другой механизм генерации, не связанный непосредственно с временем прохождения домена через весь кристалл. Домен формируется в течение некоторого отрезка времени. Поместив диод в резонатор с достаточно высокой добротностью, можно воспрепятствовать полному формированию домена; который уже в начале своего формирования наводит в резонаторе ток и отдает мощность во внешнюю цепь. Возникающее в резонаторе напряжение вычитается из напряжения источника пи-гания диода, в результате чего напряженность электрического поля в диоде уменьшается. При достаточно большой добротности резонатора напряженность поля в диоде падает ниже того порогового значения, при котором динамическое сопротивление диода отрицательно, и домен рассасывается. Начало формирования нового домена определяется тем моментом времени, когда в результате изменения высокочастотного напряжения в резонаторе напряженность поля в кристалле вновь превысит пороговое значение, а затем процесс повторяется. В режиме ОНОЗ частота генерации может быть значительно повышена, поскольку она определяется внешним резонатором, а не размерами кристалла и характером движения домена. [56]
Интенсивность дифрагированного пучка периодически изменяется в зависимости от толщины кристалла, в результате чего в клиновидных кристаллах образуются толщинные контуры, расстояние между к-рыми определяется отклонением от отражающего положения. При наличии в кристалле дефекта появляется дополнительный сдвиг по фазе и результирующая интенсивность изменяется. На изображениях с дефектами упаковки наблюдается система параллельных светлых и темных полос. [57]
Для количественной оценки спектральных интенсивностей необходимо точное измерение толщины кристалла. Простым, хотя и не очень точным, методом является измерение площади поверхности кристалла, спектр которого измерен, с последующим растворением этого кристалла в известном объеме подходящего растворителя. Затем в спектре раствора измеряется оптическая плотность интенсивных полос и производится оценка массы, а отсюда и толщины кристалла. Это позволяет в лучшем случае дать только грубую оценку; метод неприменим для очень тонких образцов. Толщина кристалла может быть измерена также под микроскопом при наблюдении запаздывания, вызванного кристаллом, и сравнения его с разностью показателей преломления при данной длине волны. Гораздо более высокая точность может быть получена при усложнении эксперимента путем использования интерферометрии. [58]
Так как величина ( Nad) представляет собой толщину кристалла, уравнение ( 27) предсказывает, что расширение угла рассеяния обратно пропорционально толщине кристалла. Важно провести различие между расширением линии, обусловленным размерами кристалла, и расширением, вызванным нарушением кристаллической решетки. Толщина кристалла служит мерой величины частицы. [59]
Расчет интенсивности прошедшего и дифрагированного пучков в зависимости от толщины кристалла и его ориентации в двухвол-новом приближении приводился в гл. В первом приближении этот расчет дает объяснение многим наблюдениям, касающимся толщины полос и экстинкционных контуров в светлопольной и темно-польной электронной микроскопии. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5