Толщина - кристалл
Cтраница 2
Измеряют толщину кристаллов на автомате по наибольшему размеру между двумя плоскопараллельными наконечниками ( щупом и столиком) контактным методом. Пределы измерения устанавливают по эталонам. [16]
При подходящей толщине кристалла две близкие линии выйдут из него поляризованными линейно и притом почти во взаимно перпендикулярных плоскостях. В действительности монохрома-тор имеет более сложное устройство. [17]
Чем больше толщина кристалла и чем больше разность между п0 и пе, тем больше Дф С другой стороны, Дф обратно пропорциональна длине волны К. [18]
 |
Спектр поглощения кристалла ВТМ о-ксилола в поляризованном свете. [19] |
К: толщина кристалла значительно меньше I мкм - рачмосп, хота окспо 40 ни; с К К1 ] ц) граф ИГ. [20]
 |
Приборы для выращивания монокристаллов методами Вернейля ( а и Киропоулоса ( б. [21] |
Рост в толщину кристалла регулируют, меняя скорость вытягивания трубки вверх и вращая ее вокруг оси. [22]
Изменения плотности или толщины кристалла могут быть вызваны также увеличением постоянной кристаллической решетки под действием рентгеновых лучей. [23]
В этом случае толщина кристалла между контактами также должна быть во много раз меньше диффузионной длины. [24]
Складывание обычно ограничивает толщину кристалла в направлении оси с от 75 до 150 А при кристаллизации из раствора и от 100 до 500 А при кристаллизации из расплава. Точное значение толщины кристалла определяется температурой кристаллизации. При малом переохлаждении размеры вдоль осей а и & практически не ограничены, и при таких условиях могут образовываться довольно совершенные ламели. При большом переохлаждении дендритный и сферо-литный рост вносит ограничение в развитие кристалла в этом направлении. Манделькерн, Прайс, Гопэлан и Фэтоу ( 1966) вырастили ламели толщиной 2000 А в направлении оси цепи. Вундерлих и Аракава ( 1964, 1967) при гидростатическом давлении вырастили даже большие кристаллы, толщиной до 100 000 А, которые были образованы почти полностью вытянутыми макромолекулами. Кроме размеров кристаллов при переходе от образца к образцу изменяется также и их совершенство. [25]
Длина складок равна толщине кристалла, а так как кристаллы имеют постоянную толщину, то длина складок в данном кристалле постоянна. В случае полиэтилена длина складок увеличивается с возрастанием температуры кристаллизации. Подобным же образом нагревание сухих кристаллов приводит к увеличению их толщины. [26]
Разрешающая способность ограничивалась толщиной кристалла и краевыми эффектами в нем и составила 3 3 мм 1 iia уровне 50 % от максимального контраста. [27]
Если полуширина щели меньше толщины кристалла, равномерно освещенная область исчезает, а области осцилляции интенсивности накладываются, причем с уменьшением ширины щели или с увеличением толщины кристалла максимума интенсивности возрастают к краям изображения для прозрачного кристалла. [28]
В то же время толщина кристалла изменяется не более чем на 0 3 мкм. По данным дифракции электронов ( рис. III.106), ориентация длинных осей макромолекул ( с-оси) совпадает с направлением этих линий. Как показано в табл. III.4, размер кристалла в направлении роста линейно возрастает во времени. Отсюда следует, что степень конверсии проявляет аналогичную тенденцию к линейному возрастанию в зависимости от времени. Заметим кстати, что картина, показанная на рис. III.105, в, послужила моделью для эмблемы 19-го Симпозиума по полимерам. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5