Толщина - обедненный слой
Cтраница 1
 |
Образование обедненного слоя у контакта металл-диэлектрик. [1] |
Толщина обедненного слоя L, возникающего у контакта металл - диэлектрик ( рис. 10.2, в), может быть подсчитана по формуле (8.34), описывающей толщину обедненной области резкого р - п-перехода. В табл. 10.2 представлены значения L, вычисленные для тех же величин Ф0, что и в табл. 10.1, и для о на порядок выше пк. [2]
 |
Разрез структуры полевого транзистора с барьером Шотткя. [3] |
Поскольку зависимость толщины обедненного слоя от напряжения смещения для диода Шоттки совпадает с аналогичной зависимостью для резкого р - га-перехода, то принцип действия прибора не отличается от принципа действия полевого транзистора с управляющим р-я-переходом. Применение металлического затвора вместо р - - перехода позволяет существенно уменьшить размеры структуры. [4]
 |
Структура полевого транзистора с р-гс-переходом в качестве затвора ( модель Шокли. [5] |
Поскольку зависимость толщины обедненного слоя резкого р - л-перехода и высоты барьера Шотки [ см. (2.66) и (3.5) ], а также основные свойства обоих типов полевых транзисторов одинаковы, ниже рассматриваются только полевые транзисторы с р - п-переходом в качестве затвора. [6]
Оно изменяет толщину обедненного слоя контакта и тем самым управляет толщиной проводящей части канала, количеством носителей заряда в канале и током через него. В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом в качестве затвора используется область противоположного типа проводимости по отношению к каналу, образующая с ним р-я-переход, который в рабочем режиме имеет обратное включение. Напряжение на затворе изменяет толщину обедненного слоя управляющего р-л-перехода и тем самым толщину проводящей части канала, число носителей заряда в нем и, следовательно, ток в канале. [7]
С увеличением обратного напряжения толщина обедненного слоя возрастает, канал сужается и ток в цепи исток - сток уменьшается. [9]
Напряжение коллектора влияет на толщину обедненного слоя коллекторного перехода, изменяет толщину базы w и напряженность поля в коллекторном переходе. [11]
Из (1.9) видно, что толщина обедненного слоя б зависит от концентрации примесей и диэлектрической постоянной полупроводника. [12]
Уровень напряжения стабилизации зависит от толщины обедненного слоя р-п-перехода, а следовательно, степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используют сильно легированный кремний с очень малой толщиной р-п-перехода. [13]
Это выражение аналогично формуле для толщины обедненного слоя р-п-пе-рехода. [14]
 |
Кусочно-линейная аппроксимация прямой ветви вольт-амперной характеристики диода тремя участками ( а и соответствующая ей схема замещения ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5