Толщина - обедненный слой
Cтраница 2
Барьерная емкость возникает из-за модуляции толщины обедненного слоя напряжением на р-я-пере-ходе и проявляется в первую очередь при обратных смещениях перехода, когда диффузионная емкость мала. [16]
 |
Изменение, электрического поля в обедненном слое зарядом движущихся носителей. [17] |
Постоянная времени тмин не зависит от толщины обедненного слоя, а время пролета носителей через обедненный слой пропорционально его толщине. [18]
В первом случае объемные заряды, толщина обедненного слоя и его сопротивление уменьшаются и при увеличении внешнего напряжения ток через контакт быстро нарастает. [20]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в области базы транзистора при нормальных смещениях ( С / э consl. [21] |
Но зато вследствие эффекта Эрли ( расширения толщины обедненного слоя при повышении обратного напряжения) сама величина w зависит от напряжения ик. [22]
Так как толщина инверсного слоя мала по сравнению с толщиной обедненного слоя, то толщина всей области объемного заряда практически равна минимальной толщине обедненного слоя. Значение w ( oo) является максимальным значением о тах, которое может быть достигнуто в квазиравновесных условиях. Его можно вычислить, сформулировав такие условия на поверхности полупроводника, которые осуществляются при w - wma ] i. Обычно считают, что максимальное значение штах соответствует такому условию, когда концентрация неосновных носителей заряда на поверхности становится равной концентрации основных носителей заряда в объеме полупроводника. [23]
При больших концентрациях примесей ( Л 10 9 см-3) толщина обедненного слоя становится столь малой, что электроны могут переходить из металла в полупроводник за счет туннельного эффекта. Обратный ток резко увеличивается, как при туннельном пробое в р-я-переходе. [24]
 |
Энергетические диаграммы выпрямляющего. [25] |
В зависимости от соотношения длины свободного пробега носителей заряда и толщины обедненного слоя характер их переноса через обедненный слой, а следовательно, и вид вольт-амперной характеристики меняются. Если длина L свободного пробега электронов значительно меньше толщины слоя Wn, то электроны, проходящие через этот слой, испытывают многократные столкновения с решеткой, а их траектория носит диффузионный характер. [26]
Задача рассматривается как одномерная в связи с тем, что толщина обедненного слоя много меньше других характерных размеров для р - п-перехода. [27]
В работе i [6] для такого случая получена неявная зависимость толщины обедненного слоя от напряжения. [28]
По мере накопления зарядового пакета за счет тепловой генерации носителей заряда толщина обедненного слоя Lo6 и поверхностный потенциал полупроводника фпов уменьшаются, а разность потенциалов на диэлектрике увеличивается. В установившемся режиме ( / - - оо) поверхностный потенциал уменьшается до значения ФПОР 2фт1п ( УУа / / г), где Na - концентрация акцепторов в подложке; n - f - концентрация собственных носителей. [29]
Из соотношений (2.64) - (2.66) видно, что при прямом смещении толщина обедненного слоя уменьшав т-с я, при обратном - возрастает. Толщина обедненного слоя при изменении напряжения, приложенного к переходу, в большей степени распространяется в ту область, которая легирована слабее, и в резко несимметричных переходах согласно (2.47) и (2.66) практически весь обедненный слой будет сосредоточен в с л а б о - легированной области. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5