Толщина - обедненный слой
Cтраница 5
При обратном смещении электроны n - области и дырки р-обла-сти отходят от перехода в направлении к омическим контактам диода, оставляя неподвижные ионы доноров и акцепторов, вследствие чего толщина обедненного слоя увеличивается. При прямом смещении процесс перемещения электронов и дырок происходит в противоположном направлении, что приводит к уменьшению толщины обедненного слоя. [61]
Если в соотношении (3.8) исключить потенциал изображения, то оставшиеся слагаемые будут описывать потенциал, который по мере удаления от границы раздела линейно нозрас-тает, а затем изгибается, приближаясь к постоянному значению. Вклад инверсионного слоя Vs ( z) становится постоянным уже на расстоянии, составляющем несколько значений гср, среднего удаления электронов от границы раздела; вклад обедненного слоя Vd ( z) - на расстоянии, превышающем zd, толщину обедненного слоя. Поскольку zd обычно намного превышает гср, кривизной потенциала обедненного слоя Vd ( z) (3.9) в большинстве случаев можно пренебречь, особенно если заряд ооедненного слоя мал по сравнению с зарядом инверсионного слоя. Однако в области, занимаемой инверсионным слоем, вклад н потенциал инверсионного слоя Vs ( z) значительно изменяется, поэтому пренебречь им можно только в том случае, если Ns мало по сравнению с Л обедн или если ошибка, связанная с пренебрежением Vs ( z), находится в пределах требуемой точности. [63]
Транзисторы с изолированным затвором изготовляют планарным методом, при этом выбирают примерно следующие конструктивные данные: длину канала / 2 - f - 10 мкм, ширину канала ш100 - т - 5000мкм, толщину изолирующего слоя затвора 601 - г - 0 2 мкм. Толщина канала, определяемая глубиной проникновения поля в полупроводник, обычно равна 0 1 - 0 2 мкм. Толщина обедненного слоя составляет единицы микрометра. Заглубление - областей лежит в пределах 5 мкм. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5