Толщина - обедненный слой
Cтраница 3
Итак, изменение напряжения, приложенного к переходу, вызывает изменение толщины обедненного слоя, а следовательно, и объемного заряда в нем. [31]
Как было показано § 1 - 3, при изменении напряжения на р-л-иереходе толщина обедненного слоя не остается постоянной, а изменяется по определенному закону в зависимости от характера распределения примесей в переходе. [32]
Выпрямляющее действие такого контакта основано на том, что при наложении внешнего электрического поля толщина обедненного слоя в пропускном направлении уменьшается, а в обратном направлении, наоборот, сильно увеличивается. Свойства пограничною ( приконтакт-ного) слоя, возникающего в месте контакта, определяются соотношением значений работ выхода материалов, образующих контактную пару. Рассмотрим условия ( с некоторым исключением), необходимые для образования определенного типа контакта. [33]
 |
Прямое включение перехода металл - полупроводник n - типа при фпфм.| Обратное включение. [34] |
Вид вольт-амперной характеристики перехода Шоттки зависит от соотношения длины свободного пробега носителей заряда и толщины обедненного слоя. Если длина свободного пробега электронов меньше толщины обедненного слоя, то электроны, проходя запирающий слой, испытывают многократное рассеяние на фононах и траектория их движения носит диффузионный характер. [35]
Изменение степени заполнения глубокого уровня электронами влечет за собой изменение плотности объемного заряда структуры, толщины обедненного слоя при постоянном обрат-юм напряжении и, как следствие, емкости структуры. [36]
При напряжениях, превышающих напряжение перекрытия, ток стока в основном не изменяется, что связано с увеличением толщины обедненного слоя вблизи стока. Эффективная длина канала при этом уменьшается ( фиг. [37]
Так, при токе электронного луча 9 8 мА с энергией электронов 15 кэВ, нагрузочном сопротивлении 1 4 Ом и толщине обедненного слоя 2 6 мкм время нарастания импульса тока составляет около 40 пс. [38]
При обратном напряжении смещения V ( га-область находится под положительным потенциалом относительно р-области) потенциальный барьер возрастает до величины е ( ф У) - Толщина обедненного слоя увеличивается, и через переход может идти небольшой ток. Таким образом, р - n - переход обнаруживает выпрямляющие свойства. [39]
В общем случае необходимо учитывать также диффузию носителей, в результате которой толщина слоя накопления Д, внутри которого существует электронно-дырочная плазма, увеличивается, а толщина обедненного слоя структуры уменьшается. [40]
Принцип действия такой же, как и для транзистора с управляющим переходом металл-полупроводник, и заключается в изменении толщины проводящей части канала и, следовательно, тока стока при изменении напряжения на затворе, влияющего на толщину обедненного слоя р-п-перехода затвор-канал. Пороговое напряжение может быть определено по (5.19), в которой сроз - равновесная высота потенциального барьера управляющего р-п-пере-хода. [41]
Равновесная толщина обедненного слоя контакта металл - полупроводник n - типа, как и для резко несимметричного р - л-перехода, может быть рассчитана по (2.2) с заменой фо на фмпо - Чем выше высота барьера, тем больше толщина обедненного слоя, последняя уменьшается с ростом концентрации доноров. [42]
Из соотношений (2.64) - (2.66) видно, что при прямом смещении толщина обедненного слоя уменьшав т-с я, при обратном - возрастает. Толщина обедненного слоя при изменении напряжения, приложенного к переходу, в большей степени распространяется в ту область, которая легирована слабее, и в резко несимметричных переходах согласно (2.47) и (2.66) практически весь обедненный слой будет сосредоточен в с л а б о - легированной области. [43]
Таким образом, может диффундировать большее число дырок из р-области в га-область и большее число электронов из га-области в р-область. Толщина обедненного слоя уменьшается, и через переход идет большой ток. [44]
 |
Схематическое изображение детектора с р - п-переходом. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5