Травление - кремний
Cтраница 2
Очень хорошими кислотостойкими свойствами обладают фоторезисты на основе каучуков, которые позволяют производить глубинное травление кремния до 100 мкм. [16]
Эффективными способами очистки поверхности кристаллов являются газовое травление при повышенных температурах ( например, травление кремния тетрахлоридом кремния при Т - 1100 - 1200 С) и ионная бомбардировка поверхности. [17]
Более наглядным примером растворения электрода в щелочном растворе, закономерности которого могут быть объяснены при предположении о химическом механизме, является травление кремния в концентрированной щелочи. Как показали Изидинов, Борисова и Веселовский [233], в этом случае прежде всего наблюдается явное несоответствие между скоростью выделения водорода в отсутствие внешнего тока ( являющейся мерой скорости саморастворения кремния) и значением скорости саморастворения, найденной из результатов поляризационных измерений. Кроме того, в широкой области потенциалов при катодной поляризации скорость выделения водорода не зависит от потенциала, значительно превышает рассчитанную по соответствующим катодным токам и совпадает со скоростью выделения водорода в отсутствие внешнего тока. [18]
 |
Свойства фторидов. [19] |
Скорость травления зависит также от типа подложки, способа нанесения и химического состава материала На рис. 3.107 показаны кривые скорости травления платины различными фреонами [58], а на рис. ЗЛ08 - скорость травления кремния газообразным фтором [ 59], Можно заметить, что скорость травления зависит от типа тра вильного газа и его давления и эти зависимости не одинаковы. [20]
 |
Зависимость скорости травления окисла кремния от концентрации травителя. [21] |
Перекись водорода является плохим травителем для кремния из-за нерастворимости поверхностного окисла кремния в воде. Скорость травления кремния и германия зависит от химического состава и температуры травителей, кристаллографической ориентации поверхности, концентрации примесей в полупроводнике. [22]
Существует ряд трудностей при исследовании электрофизических свойств высокоомных кристаллов [7, 33], связанных в основном с подготовкой образцов и интерпретацией экспериментальных данных. При травлении кремния на его поверхности образуется инверсионный слой - типа проводимости. Если не учитывать этого обстоятельства, то измеренные значения концентрации и подвижности могут сильно отличаться от реальных. [23]
 |
Смеси на основе плавиковой и азотной кислот для обработки кремния. [24] |
С увеличением концентрации скорость травления кремния в растворе NaOH увеличивается, однако при увеличении концентрации NaOH в растворе свыше 30 % скорость травления не возрастает. Поэтому для травления кремния применяют растворы, содержащие от 10 до 30 % NaOH или КОН. [25]
В реактор подают галогенсодер-жащие газы, напр. С происходит травление кремния. [26]
Сложной и еще мало изученной является технология травления кремния. При существующих методах травления кремния не удается получать малые значения скорости поверхностной рекомбинации. Если для поверхности германия вполне реально снижение скорости поверхностной рекомбинации до 200 см / сек, то для кремния эти величины находятся в пределах от 2000 - 10000 см / сек. Возможно травление кремния и в травителе АПУ, но, учитывая, что кремний травится более медленно, уксусная кислота, играющая роль замедлителя, не требуется. Травитель для кремния, получивший наименование АгП ], состоит из двух частей азотной и одной части 42 % плавиковой кислот. Азотная кислота играет роль окислителя. [27]
Например, при травлении кремния в смеси HI 5 % НС1 при 1473 К скорости травления плоскостей типа 111, 110 и 100 составляют соответственно 1 48; 3 0 и 3 4 мкм / мин. Наибольшая селективность процесса наблюдается при обработке в хлоре при температуре - 1000 К. Хлор позволяет выявлять дислокации, дефекты упаковки и другие нарушения структуры. [28]
 |
Схема микросплавного триода с диффузионной базой. [29] |
В отличие от германия, для струйного травления кремния могут быть использованы только электролиты, содержащие в качестве компонентов плавиковую кислоту и ее соли. Авторы подчеркивают, что при травлении кремния n - типа необходимо интенсивно освещать место травления; в их опытах на поверхности кремния площадью 1 мм2 концен-трировался свет лампы мощностью 1 кет. [30]
Страницы: 1 2 3 4