Травление - кремний
Cтраница 3
 |
Предельные значения температуры и водяного пара для режима роста оксида. [31] |
При давлениях выше 107 Па наблюдается сублинейная зависимость скорости роста от давления, что связано с возрастанием роли конкурирующего процесса - растворения оксида в водяном паре. С дальнейшим повышением давления появляется вероятность травления кремния водяным паром. [32]
Одновременно представляется необходимым проведение исследований по низкотемпературному травлению кремния. [33]
Наличие кислорода в газовой фазе при травлении кремния еще в большей степени способствует очищению поверхности от следов углерода, увеличивая тем самым скорость травления. Наличие кислорода в плазме фторуглеродных газов способствует увеличению концентрации свободного фтора, что также увеличивает суммарную скорость травления. [34]
Монокристаллическая пленка позволяет использовать все методы пленарной технологии для получения компонентов. При этом с помощью фотолитографии можно осуществлять травление кремния таким образом, что одия компонент ( транзистор, диод) оказывается полностью изолированным от другого сопротивлением подложки, а соединение элементов осуществляется при помощи металлизации и селективного травления, как и в интегральных полупроводниковых схемах. [35]
Однако перекись водорода не может быть использована для травления кремния, так как не взаимодействует с ним. В табл. 2 приведены составы некоторых полирующих и селективных травителей для кремния. [36]
Для снижения концентрации подвижных ионов щелочных металлов в граничной фазе используются комплексообразователи, связывающие эти ионы. В граничной фазе также часто присутствуют фторные группы, возникающие при фторном травлении кремния. [37]
На рис. 6.36 приведены зависимости T ( t ] для монокристаллов кремния в плазме CF4 О2 - Разряд выключается через 70 с после включения. Часть поверхности кристалла покрыта защитной пленкой SiO2, скорость травления которой в 30 раз ниже скорости травления кремния. [39]
Скорость химической реакции специальных травителей зависит от кристаллографического направления. Она минимальна в направлении [111], так как в перпендикулярной ему плоскости ( 111) максимальна плотность атомов. На этом основано жидкостное анизотропное травление кремния. [40]
Эти электролиты будут рассмотрены ниже при описании травления кремния. [41]
 |
Структура цинковой обманки в проекции на плоскость, перпендикулярную кристаллографической плоскости ( III. [42] |
Происходящие при этом процессы вполне аналогичны тем, которые характерны для германия. Однако перекись водорода, которая является хорошим травителем для германия, совсем не может быть использована для травления кремния, так как образующаяся на поверхности окисная пленка не растворяется в воде. [43]
Внешним параметром переходного слоя является его поведение под воздействием различных травителей, применяемых в микроэлектронике. Были проведены испытания во всех стандартных травителях, обычно неиспользуемых для кремния. Выяснилось, что скорость травления области твердого раствора в травителях типа СР-8 практически не отличается от скорости травления присоединенного кремния. [44]
Сложной и еще мало изученной является технология травления кремния. При существующих методах травления кремния не удается получать малые значения скорости поверхностной рекомбинации. Если для поверхности германия вполне реально снижение скорости поверхностной рекомбинации до 200 см / сек, то для кремния эти величины находятся в пределах от 2000 - 10000 см / сек. Возможно травление кремния и в травителе АПУ, но, учитывая, что кремний травится более медленно, уксусная кислота, играющая роль замедлителя, не требуется. Травитель для кремния, получивший наименование АгП ], состоит из двух частей азотной и одной части 42 % плавиковой кислот. Азотная кислота играет роль окислителя. [45]
Страницы: 1 2 3 4