Травление - кремний
Cтраница 4
 |
Зависимость разрешающей способности процесса фотолитографии и фоторезиста от толщины слоя фоторезиста. [46] |
Кислотостойкость фоторезиста во многом определяется химическим составом полимерной основы. Так, используемый иногда в фоторезистах новолак и применяемые в полиграфии природные коллоиды ( желатин, гуммиарабик, шеллак и др.) отличаются относительно низкой кислотостойкостью. Хорошие результаты дает введение в состав фоторезистов различных кислотостойких добавок. Например, кислотостойкость фоторезиста может быть увеличена путем хлорирования новолака, добавлением в состав фоторезиста эпоксидных смол и др. Очень хорошими кислотостойкими свойствами обладают фоторезисты на основе каучуков, которые позволяют производить глубинное травление кремния до 100 мкм. [47]
Композиция SCR-31 подходит для слоев толщиной 3 - 5 мкм и репродукции элементов размером более 20 мкм, может использоваться для образования рельефных элементов на металлической фольге. Композиция SCR-32 подходит для получения слоев толщиной 1 5 - 3 мкм, разрешающая способность 10 - 30 мкм, может наноситься окунанием. Резист SCR-33 разработай для образования субмикроииых элементов с четырьмя краями в слоях толщиной 0 3 - 1 5 мкм, специально очищен от механических примесей. Резист SCR-34 пригоден для травления SiO2, оптимальная толщина слоя 0 8 - I мкм. Резист SCR-71 тщательно очищен, имеет минимальную зольность, рекомендуется для создания полупроводников, особенно на кремнии. Композиция SCR-7 lp создана специально для травления кремния в производстве мощных транзисторов, подходит для травления до глубины 50 мкм, устойчива в агрессивных травильных растворах; оптимальная толщина слоя 6 - 8 мкм. Резист SCR-73 имеет повышенную адгезию в толстых слоях, стабилизирован для долговременной обработки в кислородной атмосфере, допускает иаиесеиие окунанием; можно проявлять в парах трихлорэтилеиа, подходит для травления подложки иа большую глубину. Фоторезисты следует хранить в темной стеклянной посуде при 10 - 20 С. [48]
Композиция SCR-31 подходит для слоев толщиной 3 - 5 мкм и репродукции элементов размером более 20 мкм, может использоваться для образования рельефных элементов на металлической фольге. Композиция SCR-32 подходит для получения слоев толщиной 1 5 - 3 мкм, разрешающая способность 10 - 30 мкм, может наноситься окунанием. Резист SCR-33 разработан для образования субмнкронных элементов с четырьмя краями в слоях толщиной 0 3 - 1 5 мкм, специально очищен от механических примесей. Резист SCR-34 пригоден для травления SiO2, оптимальная толщина слоя 0 8 - 1 мкм. Резист SCR-71 тщательно очищен, имеет минимальную зольность, рекомендуется для создания полупроводников, особенно на кремнии. Композиция SCR-7 lp создана специально для травления кремния в производстве мощных транзисторов, подходит для травления до глубины 50 мкм, устойчива в агрессивных травильных растворах; оптимальная толщина слоя 6 - 8 мкм. Резист SCR-72 тщательно очищен, имеет минимальную зольность, пригоден для быстрого травления алюминия горячей концентрированной фосфорной кислотой и далее для травления SiO. Резист SCR-73 имеет повышенную адгезию в толстых слоях, стабилизирован для долговременной обработки в кислородной атмосфере, допускает нанесение окунанием; можно проявлять в парах тркхлорэтилена, подходит для травления подложки на большую глубину. Фоторезисты следует хранить в темной стеклянной посуде при 10 - 20 С. После нанесения слой резиста 5 - 10 мин сушат при комнатной температуре, а затем 10 - 30 мин при 60 - 80 С. До-отверждение проводят при 80 - 150 С в зависимости от агрессивности используемого тра-вителя. [49]
Страницы: 1 2 3 4