Травление - подложка
Cтраница 1
Травление подложки сглаживает возможные дефекты и увеличивает прочность сцепления с селеновым слоем. [1]
Существуют два варианта травления подложек газовой фазой указанного состава: путем изменения температуры в зоне осаждения и путем изменения положения подложек. [2]
Рекомендованное рядом авторов [5, 6] травление подложки при температуре, превышающей на 10 - 20 рабочую температуру галлия, приводит к образованию неровной матовой поверхности подложки, хотя плотность пирамид роста несколько снижается. При наращивании пленок на такую подложку искривляется граница раздела подложка - слой. Более эффективным оказалось травление подложки, когда температура галлия снижалась на 10 - 20 ниже температуры подложки. [4]
Этот простой прием предотвращает травление подложки. [5]
При tn 1300 С происходит травление подложки с образованием ямок. Вероятно, потеря ориентации при tu 1250 С также объясняется химическим взаимодействием между кремнием и подложкой. [6]
Удаление органических слоев всех типов после травления подложки можно проводить в кислородной плазме при условии, что поверхность слоя резиста не была сильно модифицирована введением ионов при травлении. [7]
Минимальный уход размеров элементов изображения после травления подложки SiO2, защищенной фоторезистом ( 0 3 мкм при толщине слоя резиста 0 8 мкм, микродефектность 2 дефекта / см2) зафиксирован в а. СССР 781745, что рассматривалось как косвенная оценка хорошей адгезии фоторезиста. Это достигалось введением в композицию нитровератрового альдегида в количестве, равном массе светочувствительного компонента-эфира 5-сульфокислоты 2-диазо - 1-нафталинона и иодированного бисфенола А или трпгидроксибензофе-нона или гидроксибензальдегида; резист стабилен в течение 8 мес. [8]
Удаление органических слоев всех типов после травления подложки можно проводить в кислородной плазме при условии, что поверхность слоя резиста не была силы-га модифицирована ввете-нием ионов при травлении. [9]
Минимальный уход размеров элементов изображения после травления подложки SiOs, защищенной фоторезистом ( 0 3 мкм при толщине слоя резиста 0 8 мкм, микродефектность 2 дефекта / см2) зафиксирован в а. СССР 781745, что рассматривалось как косвенная оценка хорошей адгезии фоторезиста. Это достигалось введением в композицию нитровератровогс альдегида в количестве, равном массе светочувствительного компонента - эфира 5-сульфокислоты 2-диазо - 1-нафталинона и иодированного бисфенола А или тригидроксибензофе-нона или гидроксибензальдегида; резист стабилен в течение 8 мес. [10]
 |
Зависимость скорости травления подложек s oi потока хлористого водорода.| Рельеф поверхности пластины GaAs при травлении с большой скоростью потока НС ]. [11] |
На рис. 1 приведено изменение скорости травления подложек арсенида галлия в условиях, близких к наращиванию опитаксиальных слоев, в зависимости от потока хлористого водорода, поступающего в зону их расположения. [12]
На основе полученных экспериментальных данных по травлению подложек в газовой фазе и данных расчета процесса насыщения галлия мышьяком с образованием стационарной корочки арсениДа галлия нами выбраны оптимальные режимы, позволяющие получать эпитакси-альные слои арсенида галлия, пригодные для призводства генераторов Ганна. [13]
Перенос происходит в результате трех последовательных процессов: травления подложки, смешения продуктов с газовой фазой и последующего роста из газовой фазы. [14]
Торможение зародышеобразования в фосфатирующем растворе ША-1 в присутствии фторидов приводит к увеличению травления подложки. Для предотвращения травления необходимо экранировать металлическую поверхность от действия фосфатируодего раствора. [15]
Страницы: 1 2 3 4