Травление - подложка
Cтраница 3
Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения ( сухие резисты, см. раздел VI. [31]
 |
Распределение концентрации носителей заряда по толщине эпитаксиального слоя h арсенида галлия, осажденного на подложке из полуизолирующего арсенида галлия. [32] |
Металлоорганические соединения по мере повышения их чистоты находят все возрастающее применение в технологии эпитаксиальных структур различных полупроводниковых соединений, главным образом AltlBv и твердых растворов на их основе. Отсутст-вне в использующих МОС системах галогенов исключает травление подложки и сводит размер переходной области между нею и эпитаксиальным слоем до очень малых размеров - порядка 1 3 - 1 5 нм. [33]
Для достижения высокого разрешения необходимо, чтобы толщина слоя резиста была как можно меньшей: при этом изображение в слое резиста будет наиболее резким. Однако наилучшие технологические свойства слоя резиста и, прежде всего его стойкость при травлении подложки достигаются при возможно большей толщине В многослойных резистах ( МСР) верхний чувствительный слой выполняет функцию маски при травлении планариза-ционногэ слоя ( см. гл. VIII); при этом из-за малой толщины верхнего экспонируемого слоя его AR понижается, хотя суммарное AR многослойной системы достигает высокого значения, превышающего AR однослойного резиста в оптимальных условиях использования. [34]
 |
Полупроводниковые конвольверы. о - с воздушным зазором. 6 - с пленкой окиси цинка. [35] |
Обычно кремниевая пластина поддерживается группой миниатюрных опор, расположенных неупорядоченно на поверхности ниобата лития и потому не вносящих заметного возмущения в распространение ПАВ. Для выполнения опор соответствующие области на поверхности подложки закрываются масками, после чего выполняется травление подложки ионным пучком. [36]
При сухом травлении на поверхности подложки могут оседать остатки электродов. Чтобы избежать этого, кроме поддержания абсолютной чистоты камеры для травления резиста или проведения травления подложки и резиста в разных камерах, можно покрывать все экспонированные проводящие поверхности на подложке диэлектриком, например фоторезистом. Удаление осадков проводят ополаскиванием подложек в растворителе и слабым мокрым травлением с последующим ополаскиванием. [37]
Для термической активации реакции восстановления может потребоваться сильный нагрев подложки. Однако при чрезмерно высокой температуре возможен пиролиз продуктов реакции замещения ( таких, как галогеноводород), сопровождающийся обратной реакцией компонентов или травлением подложки. [38]
Кроме того, обнаруживается резкое отклонение среднего наблюдаемого состава образцов от рассчитанного по шихте при больших содержаниях GaP. Это означает, что отклонение состава пленок от состава шихты заключено в специфике технологии, обусловленной видом переносчика, вызывающего различие в скоростях переноса, а также в дополнительном обогащении газовой фазы мышьяком вследствие побочного травления подложки. [39]
Высокой светочувствительностью, стабильностью при хранении, разрешающей способностью и возможностью водного проявления характеризуется азидсодержащая композиция на основе сополимеров с большим содержанием непредельных связей [ пат. Слой, содержащий 2 6-бис ( 4-азидобензилиден) циклогексанон ( диазид II) может быть получен толщиной 11 мкм, экспонирован ртутной лампой сверхвысокого давления ( 250 Вт, 10 с, расстояние 60 см); после проявления водой он выдерживает травление подложки раствором CuSCu в 10 % - ной водной НС1 на глубину 0 17 мм. Резист обеспечивает великолепную воспроизводимость элементов и точек. Эти слои могут быть использованы в производстве печатных форм, печатных плат, флексографических пластин. [40]
Высокой светочувствительностью, стабильностью при хранении, разрешающей способностью и возможностью водного проявления характеризуется азидсодержащая композиция на основе сополимеров с большим содержанием непредельных связей [ пат. Слой, содержащий 2 6-бис ( 4-азидобензилиден) циклогексанон ( диазид II) может быть получен толщиной 11 мкм, экспонирован ртутной лампой сверхвысокого давления ( 250 Вт, 10 с, расстояние 60 см); после проявления водой он выдерживает травление подложки раствором CuSO4 в 10 % - иой водной НС1 на глубину 0 17 мм. Резист обеспечивает великолепную воспроизводимость элементов и точек. Эти слои могут быть использованы в производстве печатных форм, печатных плат, флексографических пластин. [41]
Рекомендованное рядом авторов [5, 6] травление подложки при температуре, превышающей на 10 - 20 рабочую температуру галлия, приводит к образованию неровной матовой поверхности подложки, хотя плотность пирамид роста несколько снижается. При наращивании пленок на такую подложку искривляется граница раздела подложка - слой. Более эффективным оказалось травление подложки, когда температура галлия снижалась на 10 - 20 ниже температуры подложки. [42]
 |
Чертеж резистивного слоя.| Фотолитографический метод изготовления металлических - масок. [43] |
Чтобы получить рисунки травлением подложки, пользуются способом фотолитографии. В процессе фотолитографии используется светочувствительный полимерный материал - фоторезист. [44]
 |
Схема прибора для контроля качества дифракционной решетки в процессе проявления. [45] |
Страницы: 1 2 3 4