Cтраница 4
Полученные данные обнаруживают большой разброс как от пластины к пластине, так и в пределах одной пластины, по предположению авторов, из-за неодинаковой толщины фоторезиста, окисла и других факторов. Измерение выполнено в предположении, что энергия излучения в поперечном сечении лазерного пучка распределена по закону Гаусса. Поэтому после экспонирования позитивных фоторезистов и травления подложки засвеченное место проявляется в виде круга, внутри которого доза облучения оказалась достаточной для сшивки негативного фоторезиста или перевода позитивного фоторезиста в растворимое состояние. [46]
Фотохимическая перегруппировка Вольфа реализуется при использовании фоторезистов - светочувствительных составов для получения рельефных изображений [1239], В состав пленкообразующего полимера, обычно новолачной смолы, вводят гидрофобный 1 2-нафтохинондиазид - 2, например ( 35; R5 - SOsOAlk), который при действии света переходит в производное инденкарбоновой-I кислоты. При последующей обработке слабощелочным раствором на экспонированных участках полимер растворяется тогда как на остальной поверхности неизменившийся хинондиазид ингибирует растворение. Возникает рельефное изображение, которое может быть усилено травлением подложки. Фоторезисты обладают высокой разрешающей способностью и имеют большое значение в радиоэлектронике и полиграфии. [47]
С, так как перенос материала ускоряется, что делает необходимой очень точную регулировку скорости газового потока. При разности температур источника и подложки более 150 С образуются поликристаллические пленки, а при перепаде менее 75 С происходит травление подложки. [48]
В результате после удаления фоторезиста на подложке остается бинарная рельефная структура. Описанный процесс почти полностью совпадает с травлением окон в слое двуокиси кремния на поверхности кремниевой пластины, которое повседневно применяют в микроэлектронике, так как оно необходимо для проведения диффузии в кремний и других операций. Однако в этом случае осуществляют сквозное травление тонкого слоя, находящегося на подложке из другого, нетравящегося материала, тогда как при изготовлении ДОЭ необходимо получить рельеф заданной глубины травлением однородной подложки, что технологически значительно сложнее. [49]
Литографические свойства резиста определяются рядом факторов ( гл. Из их растворов в летучих растворителях формируют на подложке пленки микронной и субмикронной толщины. Необходимо, чтобы светочувствительный компонент поглощал в области эмиссии используемого источника света, а изменение физико-химических свойств пленки, требуемое для создания различий в свойствах экспонируемых и неэкспонируемых участков в расчете на 1 квант света, было как можно большим, так как оба фактора определяют время экспонирования. Полимерный рельеф должен иметь хорошую адгезию к подложке, чтобы исключить подтравливание краев при последующих операциях травления подложки ( растворами сильных кислот или щелочей), а также уменьшить пористость слоя. [50]
Для улучшения качества рельефа соли различных диазониев, в особенности замещенных диазодифениламинов, конденсируют с формальдегидом и ароматическими соединениями различного строения, чаще с замещенными диарилсульфидами, - оксидами, - ме-танами, диарилами, при температуре до 40 С в 80 - 100 % - ной Н3Р04 ( диазосмолы типа В); в конденсацию вместо СН20 можно вводить метилольные производные ( пат. Конденсаты обычно имеют ММ порядка 2000, их состав близок к эквимо-лярному соотношению обоих исходных ароматических компонентов. Они осаждаются из раствора в виде солей с различными анионами, на практике предпочитают использовать соли арилсуль-фокислот. Конденсаты образуют высокосветочувствительные олео-фильные пленки, после экспонирования проявляемые водой с добавкой ПАВ или спиртов; они рекомендованы для создания печатных форм, обладающих лучшими характеристиками, чем печатные формы на основе диазосмол типа А, как маски при травлении подложек и промежуточные шаблоны в радиоэлектронике, [ пат. [51]
Для улучшения качества рельефа соли различных диазониев, в особенности замещенных диазодифениламинов, конденсируют с формальдегидом и ароматическими соединениями различного строения, чаще с замещенными диарилсульфидами, - оксидами, - ме-танами, диарилами, при температуре до 40 С в 80 - 100 % - ной Н3РО4 ( диазосмолы типа В); в конденсацию вместо СН2О можно вводить метилольные производные ( пат. Конденсаты обычно имеют ММ порядка 2000, их состав близок к эквимо-лярному соотношению обоих исходных ароматических компонентов. Они осаждаются из раствора в виде солей с различными анионами, на практике предпочитают использовать соли арилсуль-фокислот. Конденсаты образуют высокосветочувствительные олео-фильные пленки, после экспонирования проявляемые водой с добавкой ПАВ или спиртов; они рекомендованы для создания печатных форм, обладающих лучшими характеристиками, чем печатные формы на основе диазосмол типа А, как маски при травлении подложек и промежуточные шаблоны в радиоэлектронике, [ пат. [52]
Перспективен метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Процесс осуществляют в условиях глубокого вакуума ( 10 - 10 - 10 - 12 мм рт.ст.) при использовании мол. Применение особо чистых исходных в-в, создание многокамерных установок с охлаждаемыми до низких т-р и вращающимися держателями подложек позволяют резко повысить чистоту выращиваемых слоев и их однородность. Разработан метод получения эпитаксиальных композиций, содержащих неск. Существенно повышается гибкость процесса применением при наращивании слоев и их легировании ионных пучков, а также летучих соед. Детальное исследование механизмов кристаллизации позволило оптимизировать условия травления подложек с получением атомно-гладких и атомно-чистых пов-стей, увеличить скорости роста слоев при сохранении рекордно низких т-р эпитаксиальиого наращивания. Все это позволяет получать этим методом многослойные эпитаксиальные структуры со сверхтонкими слоями и наим. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращивают эпитаксиальные композиции § 1, соед. [53]