Травление - подложка
Cтраница 2
На SiO2 / Si с помощью этого позитивного резиста, сенсибилизированного бензофеноном, проведена фотолитография и травление подложки; размеры полученных элементов составляют 10 мкм. [16]
По окончании периода насыщения поверхность расплава галлия очень быстро покрывается коркой арсенида галлия и одновременно начинается либо осаждение эпитаксиального слоя, либо травление подложки в зависимости от ее температуры. Аналогичным образом было показано, что в дальнейшем абсолютное содержание мышьяка остается постоянным, тогда как концентрация его незначительно увеличивается вследствие травления галлия. [17]
НС позволяет получить фоторельеф, удобный как для применения в полиграфических формах в качестве печатающих элементов, так и для защиты при глубинном травлении подложки. Эти композиции отличаются высокой светочувствительностью и стабильностью свойств: после 6 мес хранения не изменилась ни светочувствительность, ни длительность проявления слоев. [18]
НС позволяет получить фоторельеф, удобный как для применения в полиграфических формах в качестве печатающих элементов, так и для защиты при глубинном травлении подложки. Светочувствительными компонентами, помимо обычно применяемых диазидов, служат азиды на основе гетероциклов, например 2 - ( 4-азидофенил) - 6-метил-бензотиазол, 2 - ( 4-азидофенил) нафто [ 1 2-с. Эти композиции отличаются высокой светочувствительностью и стабильностью свойств: после 6 мес хранения не изменилась ни светочувствительность, ни длительность проявления слоев. [19]
Из графиков рис. 9.5 легко определить значения предельных составов, для которых при ряде температур подложки не будет происходить ни выделения кремния, ни травления подложки. [20]
 |
Профиль распределения примеси в плен. [21] |
Так, Томас, Кан и др. [95, 148], Наталл [16], Гроссман [149], Абе и др. [152] при интерпретации экспериментальных данных рассматривают различные виды травления подложки и переноса примесей в растущий слой как один из важных механизмов автолегирования. С другой стороны, Джойс и др. [150], Гроув и др. [151] считают, что преобладающим механизмом попадания примесей из подложки является твердофазная диффузия через границу раздела. [22]
 |
Схема установки для получения эпи таксиальных слоев кремния силановым методом. [23] |
Независимо от вариантов, хлоридный способ тем не менее не позволяет получать высокоомные слои вследствие загрязнения растущего слоя летучими примесями из окружающей среды и из подложки из-за частичного травления подложки и слоя в ходе эпитаксии. [24]
Второй способ заключается в том, что пары А СЬ с потоком водорода поступают в зону источника, где происходит образование хлоридов галлия и мышьяка, а затем газовая смесь подается в зону травления подложек, причем последние находятся в условиях более высоких температур. [25]
Мест [63] отмечает, что при снижении скорости потока водорода до 100 см3 / мин ( оптимальные значения vHz - 300 - 500 см3 / мин, VHCI 1 - 3 см. / мин, A / f 100 С) наблюдается конденсация мышьяка на стенках трубки, а при ее увеличении до 600 сма / мин происходит травление подложки. Они отмечают также, что увеличение скорости потока выше оптимального уменьшает эффективность процесса. В этом случае газовая смесь находится в контакте с галлиевшг источником меньшее время и отношение непрореагировавших молекул НС1: AsCl3 возрастает. [26]
Стравливается весь слой в неэкспонированных зонах и часть поверхностных слоев в экспонированных. Затем проводят травление подложки плазмой CF4 - O2 по рисунку резиста и наконец стравливают маску резиста. Таким образом, начиная с экспонирования, все обработки проводят без применения растворителя. Преимущества такого процесса очевидны: достигается высокое разрешение, не вносятся загрязнения в изделия, используется автоматическая аппаратура. [27]
Стравливается весь слой в неэкспонированных зонах и часть поверхностных слоев в экспонированных. Затем проводят травление подложки плазмой С. Таким образом, начиная с экспонирования, все обработки проводят без применения растворителя. Преимущества такого процесса очевидны: достигается высокое разрешение, не вносятся загрязнения в изделия, используется автоматическая аппаратура. [28]
Соединения В2О3 и Si02 образуют стекловидный слой, остающийся на поверхности подложки после проведения операции загонки бора. Этот слой удаляют травлением подложки в растворе кислоты, которая не влияет на слои кремния, легированные бором. После этой операции ( рис. 3.16, а) подложка оказывается подготовленной для второй стадии диффузии бора ( разгонки), которую проводят одновременно с окислением. [29]
Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения ( сухие резисты, см, раздел VI. [30]
Страницы: 1 2 3 4