Плазменное травление
Cтраница 1
Плазменное травление позволяет изготовить профиль в любом материале с точностью и качеством поверхности, недостижимыми для обычного жидкостного травления. Это обусловлено возможностями анизотропного режима материала, высокой управляемостью и стабильностью технологических процессов. [1]
Для плазменного травления используют главным образом тетрафторуглерод в смесях с кислородом, азотом и другими газами. При этом некоторые из жидких травителей потеряют свое значение. [2]
Механизм плазменного травления полимерных материалов, и в том числе фоторезистов, пока не поддается четкому объяснению. В связи с этим до настоящего времени идет чисто эмпирический подбор соответствующих защитных масок. Однако при разработке или выборе фоторезистов для плазменного травления можно в определенной степени исходить из аналогии поведения полимерных материалов под действием ионных и электронных пучков. Стойкость защитных пленок фоторезистов может быть значительно повышена при введении в их состав специальных добавок, уменьшающих разрушение материала при ионной бомбардировке. [3]
При плазменном травлении, например, с помощью определенных приемов можно добиться удаления с полупроводникового диска лишь тех участков, которые предварительно засвечивались ультрафиолетовым излучением эксимерного лазера. Для пассивации, маскирования и создания изоляции кроме двуокиси кремния все шире используют и другие материалы, в первую очередь нитрид кремния, который по ряду свойств превосходит двуокись кремния. Все чаще и другие слои формируются на базе технологии, основанной на обработке при относительно низких температурах. К их числу относится, например, химическое осаждение из паровой фазы, эффективность которого дополнительно можно увеличить путем использования газового разряда или лазерного облучения. По мере того как уменьшаются горизонтальные размеры структур, более узкими становятся токопроводные линии из алюминия или поликремния. В результате возрастает электрическое сопротивление, что отрицательным образом сказывается на быстродействии ИС. Плотность проходящих по ним токов становится очень большой, и это приводит к возникновению дефектов структуры материала в результате электромиграции. [4]
 |
Материалы для удаления фоторезистов. [5] |
Разработаны системы химически реактивного плазменного травления, эффективного для кремния, диоксида кремния, нитрида кремния, алюминия, тантала, танталовых соединений, хрома, вольфрама, золота и стекла. Применяются два типа реакторных систем плазменного травления: бочкообразная, или цилиндрическая, система и система с параллельными пластинами, или планарная. [6]
Наиболее существенным недостатком плазменного травления является сопровождающий этот процесс разогрев подложки. [7]
Разрешающая способность метода плазменного травления во многом определяется углом падения потока ионов по отношению к подложке. [8]
Таким образом, процессы плазменного травления, имея широкую перспективу практического применения, в настоящее время требуют к себе более внимательного подхода как с точки зрения оптимизации самого процесса, так и в плане создания стойких защитных материалов и детального изучения комбинированных операций травления защитных масок и материалов подложки. [9]
Настоящая подсубпозиция включает машины плазменного травления с использованием плазменного луча для вытравливания структур в материале полупроводниковых пластин. Эти автоматические машины с микропроцессорным управлением фактически состоят из обрабатывающей камеры с анодом и катодом, высокочастотным генератором, вакуумным насосом, из линий газоснабжения и загрузочного устройства для подачи полупроводниковых пластин. Полупроводниковые пластины подаются в вакуумную обрабатывающую камеру, где между анодом и катодом создается электрическое поле. В газовой среде обрабатывающей камеры благодаря электрическому разряду образуются положительно заряженные ионы, которые соударяются с поверхностью полупроводниковой пластины ( катод), удаляя часть материала пластины силой этого ударного воздействия. [10]
Для повышения стойкости рельефа при плазменном травлении предложено использовать двухслойный резист [ пат. В качестве нижнего слоя на подложку наносят поли-амидокислоту, которая при нагревании до ПО-160 С частично или полностью превращается в полиимид и на которую затем наносят подходящий резист ( см. гл. После экспонирования и проявления чувствительного слоя резиста проводят травление полиимид-ного слоя в растворе этилендиамина или щелочи, либо кислородной плазмой; травление металла на подложке - плазмой. [11]
Для повышения стойкости рельефа при плазменном травлении предложено использовать двухслойный резист [ пат. В качестве нижнего слоя на подложку наносят поли-амидокислоту, которая при нагревании до ПО-160 С частично или полностью превращается в полиимид и на которую затем наносят подходящий резист ( см. гл. После экспонирования и проявления чувствительного слоя резиста проводят травление полиимид-ного слоя в растворе этилендиамина или щелочи, либо кислородной плазмой; травление металла на подложке - плазмой. [12]
Далее на участке затвора слой SiN удаляется плазменным травлением, затем производится травление в химическом травителе, содержащем NH4F и HF в соотношении 10: 1, после чего на поверхность наносится структура Ti / Pt / Au ( 100 0 нм / 50 0 нм / 150 0 нм), которая локально удаляется обратным ( взрывным) методом, и в результате формируется затвор. [13]
В ИСОИ РАН для плазменной обработки материалов используется установка плазменного травления ( УТП ПДЗ-125-009) пластин в ВЧ разряде, которая позволяет травить линии шириной 0 1 мкм. [14]
Стойкость фоторезистов к воздействию ионов определяет возможность практической реализации метода плазменного травления. [15]
Страницы: 1 2 3 4