Плазменное травление
Cтраница 2
 |
Зависимость глубины залегания р-п перехода в GaAsi - xP, отнесенной ко времени, от давления паров As4 при диффузии Zn ( вертикальная и горизонтальная шкалы ло. [16] |
Существенное улучшение маскирующего действия оксидов может быть достигнуто при испрльзовании плазменного травления. Плазма CFi удаляет SiOz или SijN не стравливая поверхность полупроводника. Следовательно, слой SiaNi можно нанести на полупроводник с рисунком фоторезиста на нем и с помощью плазменного травления вытравить нитрид соответствующим образом. [17]
 |
Характеристика полифторалкилметакрилатиых позятявпых. [18] |
При этом достигаются разрешение 0 2 мкм и хорошая стойкость при плазменном травлении. Кл / см2; рекомендованы сополимеры метил-метакрилата и метил-2 - бромакрилата [ 119; пат. [19]
Резисты совершенно не набухают, термически стабильны, обладают отличной стойкостью при плазменном травлении. [20]
 |
Характеристика полифторалкилметакрилатиых позятявпых. [21] |
Сополимеры метакриловых эфиров ненасыщенных спиртов могут быть использованы как негативные электроне - или рентгено-резисты с отличной стойкостью к плазменному травлению. Например, сополимер аллилметакрилата с 2-гидроксиэтилметакрилатом ( молярное соотношение 75: 25) с Мш 487 - 104 имеет чувствительность 1 8 - Ю-7 Кл / см2 и стойкость к травлению смесью CF4, O2 и N2 ( 93: 4: 3) в 2 раза лучшую, чем сополимер глицидилметакри-лата с этилакрилатом ( 72: 28), разрешение также хорошее ( до 0 3 мкм) [ пат. [22]
 |
Характеристика полифторалкилметакрилатных позитивных. [23] |
Сополимеры метакриловых зфиров ненасыщенных спиртов могут быть использованы как негативные электроно - или рентгено-резисты с отличной стойкостью к плазменному травлению. Например, сополимер аллилметакрилата с 2-гидроксиэтилметакрилатом ( молярное соотношение 75: 25) с М 487 - 104 имеет чувствительность 1 8 - 10 - 7 Кл / см2 и стойкость к травлению смесью CF4, O2 и N2 ( 93: 4: 3) в 2 раза лучшую, чем сополимер глицидилметакри-лата с этилакрилатом ( 72: 28), разрешение также хорошее ( до 0 3 мкм) [ пат. [24]
В начале 80 - х годов произошел значительный скачок в производстве и сбыте тетрафторуглерода в связи с внедрением в электронике плазменного травления. [25]
Кл / см2 при 20 кВ, рассматриваемой как предельно допустимая с точки зрения производительности электронной литографии, имели бы большую Тс и стойкость к плазменному травлению. [27]
 |
Взаимосвязь литографических и молекулярных параметров полихлорметилста. [28] |
Галогенароматические полимеры, таким образом, в настоящее время представляют собой негативные резисты с оптимальным комплексом свойств: чувствительностью, разрешающей способностью и стойкостью при плазменном травлении. С ростом содержания атомов галогена повышается, но до определенного предела, способность к сшиванию. [29]
Ю-6 - 6 - 10 - 6 Кл / см2 при 20 кВ, рассматриваемой как предельно допустимая с точки зрения производительности электронной литографии, имели бы большую Тс и стойкость к плазменному травлению. [30]
Страницы: 1 2 3 4