Плазменное травление
Cтраница 4
Зависимость разрешающей способности резиста от толщины слоя рельефа после проявления приведена на рис. VII. Разрешающая способность этого резиста выше, чем у СОР, значительно выше и стойкость к плазменному травлению, поэтому сополимер глицидилметакрилата с 3-хлорстиролом пригоден для непосредственного экспонирования на кремниевых подложках. [46]
Эту операцию называют травлением оксида кремния. Помимо травления с помощью жидких реактивов ( жидкостное химическое травление) сегодня все шире и шире применяют плазменное травление. Такая обработка основана на применении галогенсодержащих газов. Газ вместе с подвергаемой травлению подложкой находится в реакционной камере, где происходит электрический газовый ( или плазменный) разряд, при котором галогенное соединение разлагается на компоненты. Среди них имеются обладающие сильной реакционной способностью галогенные ионы, которые энергично разрушают слой оксида. [47]
Подобно пленкам БФСС скорости травления пленок БСС и ФСС зависят от уровня легирования и условий осаждения. Они могут быть оптимизированы для одновременного получения высокой селективности жидкостного травления к термическому окислу и высокой селективности плазменного травления к монокремнию. [48]
При этом имеется в виду технология со сглаживанием лицевой поверхности. На рис. 5.20 представлен метод STOMI ( stacked oxide SWAMI ( side wall masked isolation) - технологический метод анизотропного плазменного травления кремния и прилегающего окисла, а на рис. 5.21 - BOX ( buried oxide) - метод скрытого окисла. Эти методы используют довольно сложные технологические процессы, но зато они соответствуют требованиям, предъявляемым к будущей технологии. К методам улучшения взаимной изоляции при полном исключении эффекта защелкивания в КМОП-структуре относятся методы, использующие изолирующую подложку. [50]
Разрешающая способность резиста при толщине 0 5 - 0 7 мкм составляет приблизительно 1 мкм. Серьезным недостатком всех приведенных выше эпоксидных негативных электронорезистов является низкая температура стеклования и в некоторых случаях также малая стойкость при плазменном травлении. [51]
Пульсационная пульверизация с частотой 10 - 20000 Гц достигает эффективности ультразвуковой очистки без эрозии пленок. При использовании свежих порций растворителя этот метод дает самые хорошие результаты. Плазменное травление, которое проводится в окислительных или восстановительных средах, представляет собой очень эффективный метод, дающий в большинстве случаев оптимальные результаты. Шлифование поверхности, которое обычно используется для обработки стеклянных подложек хромовых масок и приготовления шлифованных кремниевых подложек, для очистки поверхностей применяется редко. [52]
До травления плазмой серебро с неэкспонированных участков удаляется обработкой в кислом растворе. Недопированная серебром пленка травится очень быстро - скорость травления составляет 55 нм / с. При плазменном травлении получены линии шириной менее 1 мкм. [53]
В описанных выше случаях говорится о поверхностных состояниях, образованных в процессе окисления ( естественным путем), однако и после окисления остается множество факторов, приводящих к генерации нового заряда. Технологические процессы, которые могут проводиться после окисления, очень многочисленны. Это ионная имплантация, плазменное травление, ионное травление, обработка рентгеновскими, электронными ( высокой энергии), а - и - лучами при формировании рисунка и прочее. Все эти процессы могут прямо или косвенно, образуя центры захвата, создавать положительные и отрицательные заряды. [54]
Эффективными отверждающими рельеф агентами являются соли сульфо-илп карбоновых кислот дпазонафталшюна. Их наносят на проявленный слой, затем систему прогревают 20 мин при 210 С в атмосфере азота и промывают водой. Рельеф гораздо лучше защищает подложку при плазменном травлении, чем тер. [55]
Страницы: 1 2 3 4